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1. (WO2018181661) THERMOELECTRIC CONVERSION DEVICE
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Nº de publicación: WO/2018/181661 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/013112
Fecha de publicación: 04.10.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 29.03.2018
CIP:
H01L 35/30 (2006.01) ,H01L 35/32 (2006.01) ,H01L 35/34 (2006.01) ,H02N 11/00 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
35
Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles
28
funcionando exclusivamente por efecto Peltier o efecto Seebeck
30
caracterizados por los medios de cambio de calor de la unión
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
35
Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles
28
funcionando exclusivamente por efecto Peltier o efecto Seebeck
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caracterizados por la estructura o la configuración de la célula o del termopar que constituye el dispositivo
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
35
Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles
34
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
H ELECTRICIDAD
02
PRODUCCION, CONVERSION O DISTRIBUCION DE LA ENERGIA ELECTRICA
N
MAQUINAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
11
Generadores o motores no previstos en otro lugar; Movimiento pretendido perpetuo obtenido por medios eléctricos o magnéticos
Solicitantes:
リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都板橋区本町23番23号 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP
Personas inventoras:
関 佑太 SEKI, Yuta; JP
原 悠介 HARA, Yusuke; JP
加藤 邦久 KATO, Kunihisa; JP
森田 亘 MORITA, Wataru; JP
武藤 豪志 MUTO, Tsuyoshi; JP
Mandataria/o:
大谷 保 OHTANI, Tamotsu; JP
有永 俊 ARINAGA, Shun; JP
石原 俊秀 ISHIHARA, Toshihide; JP
Datos de prioridad:
2017-06880630.03.2017JP
Título (EN) THERMOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE
(JA) 熱電変換デバイス
Resumen:
(EN) A thermoelectric conversion device which is provided with: a substrate that has a pair of main surfaces; a thermoelectric element layer which is arranged on one main surface of the substrate, and wherein P-type thermoelectric element layers and N-type thermoelectric element layers are alternately arranged in series so as to be adjacent to each other in the in-plane direction; a connection layer for connecting a plurality of layers, which is arranged so as to cover a surface of the thermoelectric element layer, said surface being on the reverse side of the substrate-side surface; and a highly heat conductive layer which is arranged in a pattern on a surface of the connection layer, said surface being on the reverse side of the thermoelectric element layer-side surface. The thermal conductivity of the highly heat conductive layer is higher than the thermal conductivity of the connection layer; and the thermal conductivity of the connection layer is 1.6 W/(m·K) or less.
(FR) L'invention concerne un dispositif de conversion thermoélectrique comprenant : un substrat qui possède une paire de surfaces principales ; une couche d'élément thermoélectrique qui est disposée sur une surface principale du substrat, et dans laquelle des couches d'éléments thermoélectriques de type P et des couches d'éléments thermoélectriques de type N sont disposées en alternance en série de manière à être adjacentes les unes aux autres dans la direction dans le plan ; une couche de connexion destinée à connecter une pluralité de couches, laquelle est disposée de manière à recouvrir une surface de la couche d'élément thermoélectrique, ladite surface se trouvant sur le côté inverse de la surface côté substrat ; et une couche hautement conductrice de chaleur qui est disposée en un motif sur une surface de la couche de connexion, ladite surface se trouvant sur le côté inverse de la surface côté couche d'élément thermoélectrique. La conductivité thermique de la couche hautement conductrice de chaleur est supérieure à la conductivité thermique de la couche de connexion ; et la conductivité thermique de la couche de connexion est inférieure ou égale à 1,6 W/(m·K).
(JA) 一対の主面を備える基板と、基板の一方の主面上に設けられた、P型熱電素子層とN型熱電素子層とが面内方向に交互に隣接し直列に配置された熱電素子層と、複数の層を連結するための連結層であって、熱電素子層の、基板とは反対側の面を覆うように配置された連結層と、連結層の、熱電素子層とは反対側にパターン配置された高熱伝導層と、を備え、高熱伝導層の熱伝導率は連結層の熱伝導率よりも大きく、連結層の熱伝導率は1.6W/(m・K)以下である、熱電変換デバイス。
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Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)