Parte del contenido de esta aplicación no está disponible en este momento.
Si esta situación persiste, contáctenos aComentarios y contacto
1. (WO2018181438) IMAGING PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina InternacionalFormular observación

Nº de publicación: WO/2018/181438 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/012669
Fecha de publicación: 04.10.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 28.03.2018
CIP:
H01L 27/146 (2006.01) ,G01T 1/20 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 31/08 (2006.01) ,H04N 5/321 (2006.01) ,H04N 5/361 (2011.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
14
con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones
144
Dispositivos controlados por radiación
146
Estructuras de captadores de imágenes
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
T
MEDIDA DE RADIACIONES NUCLEARES O DE RAYOS X
1
Medida de los rayos X, rayos gamma, radiaciones corpusculares o de las radiaciones cósmicas
16
Medida de la intensidad de radiación
20
con detectores de centelleo
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
14
con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones
144
Dispositivos controlados por radiación
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786
Transistores de película delgada
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
08
en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias
H ELECTRICIDAD
04
TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS
N
TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION
5
Detalles de los sistemas de televisión
30
Transformación de información luminosa o análoga en información eléctrica
32
Transformación de rayos X
321
con transmisión vídeo de imágenes fluoroscópicas
H ELECTRICIDAD
04
TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS
N
TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION
5
Detalles de los sistemas de televisión
30
Transformación de información luminosa o análoga en información eléctrica
335
que utiliza sensores de imagen de estado sólido [SIES]
357
Procesamiento de ruido, p. ej. detección, corrección, reducción o eliminación de ruido
361
aplicado a corriente oscura
Solicitantes:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1 Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Personas inventoras:
中村 友 NAKAMURA Yu; --
冨安 一秀 TOMIYASU Kazuhide; --
中澤 淳 NAKAZAWA Makoto; --
森脇 弘幸 MORIWAKI Hiroyuki; --
中村 渉 NAKAMURA Wataru; --
中野 文樹 NAKANO Fumiki; --
Mandataria/o:
川上 桂子 KAWAKAMI Keiko; JP
松山 隆夫 MATSUYAMA Takao; JP
Datos de prioridad:
2017-06893330.03.2017JP
Título (EN) IMAGING PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) PANNEAU D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 撮像パネル及びその製造方法
Resumen:
(EN) The present invention provides an X-ray imaging panel, and a method for manufacturing the same, with which it is possible to suppress leak current in a photoelectric conversion layer while reducing the number of processes for manufacturing the imaging panel. An imaging panel 1 for generating an image on the basis of scintillation light obtained from X-rays transmitted through a subject. The imaging panel 1 is provided with a thin film transistor 13, passivation films 103, 104 covering the thin film transistor 13, a photoelectric conversion layer 15 for converting the scintillation light into an electrical charge, an upper electrode 16, and a lower electrode 14 connected to the thin film transistor 13, said elements being provided on a substrate 101. The end parts of the lower electrode 14 are disposed on the inner side relative to the end parts of the photoelectric conversion layer 15. The lower electrode 14 and the thin film transistor 13 are connected via a contact hole CH1 formed in the passivation films 103, 104 in a region in which the photoelectric conversion layer 15 is provided.
(FR) La présente invention concerne un panneau d'imagerie à rayons X et un procédé de fabrication correspondant, qui permettent de supprimer le courant de fuite dans une couche de conversion photoélectrique et de réduire en même temps le nombre de processus nécessaires à la fabrication du panneau d'imagerie. Le panneau d'imagerie (1) sert à produire une image sur la base d'une lumière de scintillation obtenue à partir de rayons X ayant traversé un objet. Le panneau d'imagerie (1) est pourvu d'un transistor à couches minces (13), de films de passivation (103, 104) recouvrant le transistor à couches minces (13), d'une couche de conversion photoélectrique (15) pour convertir la lumière de scintillation en une charge électrique, d'une électrode supérieure (16) et d'une électrode inférieure (14) connectée au transistor à couches minces (13), lesdits éléments se situant sur un substrat (101). Les parties d'extrémité de l'électrode inférieure (14) sont placées sur le côté interne par rapport aux parties d'extrémité de la couche de conversion photoélectrique (15). L'électrode inférieure (14) et le transistor à couches minces (13) sont connectés par l'intermédiaire d'un trou de contact (CH1) formé dans les films de passivation (103, 104), dans la région dans laquelle la couche de conversion photoélectrique (15) se situe.
(JA) 撮像パネルを作製する工程を削減しつつ、光電変換層のリーク電流を抑制し得るX線の撮像パネル及びその製造方法を提供すること。撮像パネル1は、被写体を通過したX線から得られたシンチレーション光に基づいて画像を生成する。撮像パネル1は、基板101上に、薄膜トランジスタ13と、薄膜トランジスタ13を覆うパッシベーション膜103、104と、シンチレーション光を電荷に変換する光電変換層15と、上部電極16と、薄膜トランジスタ13と接続された下部電極14とを備える。下部電極14の端部は、光電変換層15の端部よりも内側に配置される。下部電極14と薄膜トランジスタ13は、光電変換層15が設けられた領域において、パッシベーション膜103、104に形成されたコンタクトホールCH1を介して接続されている。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)