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1. (WO2018181128) METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
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Nº de publicación: WO/2018/181128 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/012036
Fecha de publicación: 04.10.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 26.03.2018
CIP:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01) ,H05K 3/24 (2006.01) ,H05K 3/34 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
02
Detalles
0224
Electrodos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
04
adaptados como dispositivos de conversión
06
caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie
072
siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a heterounión
0745
comprendiendo una heterounión AIVBIV, p.ej. células solares Si/Ge, SiGe/Si o Si/SiC
0747
comprendiendo una heterounión de materiales cristalinos y amorfos, p.ej. heterounión con capa fina intrínseca o células solares HIT
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
K
CIRCUITOS IMPRESOS; ENVOLTURAS O DETALLES DE REALIZACION DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS
3
Aparatos o procedimientos para la fabricación de circuitos impresos
22
Tratamientos secundarios de circuitos impresos
24
Refuerzo del diseño conductor
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
K
CIRCUITOS IMPRESOS; ENVOLTURAS O DETALLES DE REALIZACION DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS
3
Aparatos o procedimientos para la fabricación de circuitos impresos
30
Acoplamiento de circuitos impresos con componentes eléctricos, p. ej. con una resistencia
32
Conexiones eléctricas de componentes eléctricos o de hilos a circuitos impresos
34
Conexiones soldadas
Solicitantes:
株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島2-3-18 2-3-18, Nakanoshima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
Personas inventoras:
和田 英敏 WADA, Hidetoshi; JP
末崎 恭 SUEZAKI, Takashi; JP
福田 将典 FUKUDA, Masanori; JP
Mandataria/o:
特許業務法人はるか国際特許事務所 HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; 東京都千代田区六番町3 六番町SKビル5階 Rokubancho SK Bldg. 5th Floor, 3, Rokubancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020085, JP
Datos de prioridad:
2017-07280831.03.2017JP
Título (EN) METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子の製造方法
Resumen:
(EN) A method for producing a photoelectric conversion element according to the present disclosure comprises: a first electrode formation step wherein a first electrode is formed on at least a first main surface side of a photoelectric conversion unit with use of a conductive paste that contains conductive particles, a thermosetting resin and a solvent; an atmospheric drying step wherein the first electrode is dried by being heated at the atmospheric pressure so as not to exceed the curing temperature of the thermosetting resin; a vacuum drying step wherein the first electrode is vacuum dried by being heated under a vacuum so as not to exceed the curing temperature of the thermosetting resin after the atmospheric drying step; and an insulating film formation step wherein an insulating film is formed on the first main surface side of the first electrode after the vacuum drying step.
(FR) Un procédé de production d'un élément de conversion photoélectrique selon la présente invention comprend : une première étape de formation d'électrode dans laquelle une première électrode est formée sur au moins un premier côté de surface principale d'une unité de conversion photoélectrique avec l'utilisation d'une pâte conductrice qui contient des particules conductrices, une résine thermodurcissable et un solvant; une étape de séchage atmosphérique dans laquelle la première électrode est séchée en étant chauffée à la pression atmosphérique de façon à ne pas dépasser la température de durcissement de la résine thermodurcissable; une étape de séchage sous vide dans laquelle la première électrode est séchée sous vide en étant chauffée sous vide de manière à ne pas dépasser la température de durcissement de la résine thermodurcissable après l'étape de séchage atmosphérique; et une étape de formation de film isolant dans laquelle un film isolant est formé sur le premier côté de surface principale de la première électrode après l'étape de séchage sous vide.
(JA) 本開示に係る光電変換素子の製造方法は、光電変換部における少なくとも第1の主面側に、導電性粒子、熱硬化性樹脂、溶剤を含む導電性ペーストを用いて第1電極を形成する第1電極形成工程と、前記第1電極を、大気圧下において前記熱硬化性樹脂の硬化温度を超えないように加熱し、乾燥させる大気乾燥工程と、前記大気乾燥工程の後に、前記第1電極を、真空下において前記熱硬化性樹脂の硬化温度を超えないように加熱し、真空乾燥させる真空乾燥工程と、前記真空乾燥工程後に、前記第1電極の前記第1の主面側に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、を含む。
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Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)