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1. (WO2018180842) TFT SUBSTRATE, TFT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD, AND DISPLAY DEVICE
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina InternacionalFormular observación

Nº de publicación: WO/2018/180842 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/011294
Fecha de publicación: 04.10.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 22.03.2018
CIP:
G09F 9/30 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01)
G FISICA
09
ENSEÑANZA; CRIPTOGRAFIA; PRESENTACION; PUBLICIDAD; PRECINTOS
F
PRESENTACION; PUBLICIDAD; CARTELES; ETIQUETAS O PLACAS DE IDENTIFICACION; PRECINTOS
9
Dispositivos de representación de información variable, en los que la información se forma sobre un soporte, por selección o combinación de elementos individuales
30
en los que el o los caracteres deseados se forman por una combinación de elementos individuales
G FISICA
02
OPTICA
F
DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES
1
Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal
01
para el control de la intensidad, fase, polarización o del color
13
basados en cristales líquidos, p. ej. celdas de presentación individuales de cristales líquidos
133
Disposiciones relativas a la estructura; Excitación de celdas de cristales líquidos; Disposiciones relativas a los circuitos
1333
Disposiciones relativas a la estructura
1343
Electrodos
G FISICA
02
OPTICA
F
DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES
1
Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal
01
para el control de la intensidad, fase, polarización o del color
13
basados en cristales líquidos, p. ej. celdas de presentación individuales de cristales líquidos
133
Disposiciones relativas a la estructura; Excitación de celdas de cristales líquidos; Disposiciones relativas a los circuitos
136
Celdas de cristales líquidos asociados estructuralmente con una capa o un sustrato semiconductores, p. ej. celdas que forman parte de un circuito integrado
1362
Celdas direccionadas por una matriz activa
1368
en los que el elemento de conmutación es un dispositivo de tres electrodos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
28
con componentes que utilizan materiales orgánicos como la parte activa o que utilizan una combinación de materiales orgánicos con otros materiales como la parte activa
32
con componentes especialmente adaptados para la emisión de luz, p. ej. monitores de pantalla plana que utilizan diodos emisores de luz orgánicos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786
Transistores de película delgada
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
51
Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas
50
especialmente adaptados para la emisión de luz, p. ej. diodos emisores de luz orgánicos (OLED) o dispositivos emisores de luz poliméricos (PLED)
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
B
CALEFACCION ELECTRICA; ALUMBRADO ELECTRICO NO PREVISTO EN OTRO LUGAR
33
Fuentes de luz electroluminiscente
02
Detalles
Solicitantes:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Personas inventoras:
岡部 達 OKABE, Tohru; --
錦 博彦 NISHIKI, Hirohiko; --
家根田 剛士 YANEDA, Takeshi; --
Mandataria/o:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Datos de prioridad:
2017-06535529.03.2017JP
Título (EN) TFT SUBSTRATE, TFT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT TFT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) TFT基板、TFT基板の製造方法、表示装置
Resumen:
(EN) The present invention achieves stable connection, in a TFT substrate including a semiconductor film in each of a lower layer part and an upper layer part thereof, between a conductor in the lower layer part and a conductor in the upper layer part. The substrate is provided thereon with: a first semiconductor film (6) that functions as a channel for TFT; a first conductor (M1) that is disposed in a layer above the first semiconductor film; an interlayer insulating film (18) that is disposed in a layer above the first conductor; a second semiconductor film (26) that is disposed in a layer above the interlayer insulating film; a second conductor (J2) that is disposed in a layer above the second semiconductor film; an organic insulating film (32) that is disposed in a layer above the second conductor; a third conductor (M3) that is disposed in a layer above the organic insulating film; and a contact hole (CH) that extends through a through-hole (H32) in the organic insulating film and a through-hole (H18) in the interlayer insulating film and reaches the first conductor, wherein the second conductor (J2) and the third conductor (M3) are formed so as to overlap the opening plane (K) of the contact hole, and the third conductor (M3) is in contact with the first conductor (M1) and the second conductor (J2).
(FR) La présente invention réalise une connexion stable, dans un substrat TFT comprenant un film semi-conducteur dans une partie de couche inférieure et une partie de couche supérieure de ce dernier, entre un conducteur dans la partie de couche inférieure et un conducteur dans la partie de couche supérieure. Le substrat est pourvu : d'un premier film semi-conducteur (6) qui fonctionne comme un canal pour TFT ; d'un premier conducteur (M1) qui est disposé dans une couche au-dessus du premier film semi-conducteur ; un film isolant intercouche (18) qui est disposé dans une couche au-dessus du premier conducteur ; un second film semi-conducteur (26) qui est disposé dans une couche au-dessus du film isolant intercouche ; un second conducteur (J2) qui est disposé dans une couche au-dessus du second film semi-conducteur ; un film isolant organique (32) qui est disposé dans une couche au-dessus du second conducteur ; un troisième conducteur (M3) qui est disposé dans une couche au-dessus du film isolant organique ; et un trou de contact (CH) qui s'étend à travers un trou traversant (H32) dans le film isolant organique et un trou traversant (H18) dans le film isolant intercouche et qui atteint le premier conducteur, le second conducteur (J2) et le troisième conducteur (M3) étant formés de manière à chevaucher le plan d'ouverture (K) du trou de contact, et le troisième conducteur (M3) est en contact avec le premier conducteur (M1) et le second conducteur (J2).
(JA) 下層部および上層部それぞれに半導体膜を含むTFT基板において、下層部の導電体と上層部の導電体との安定的な接続を図る。基板上に、TFTのチャネルとして機能する第1半導体膜(6)と、第1半導体膜よりも上層の第1導電体(M1)と、第1導電体よりも上層の層間絶縁膜(18)と、層間絶縁膜よりも上層の第2半導体膜(26)と、第2半導体膜よりも上層の第2導電体(J2)と、第2導電体よりも上層の有機絶縁膜(32)と、有機絶縁膜よりも上層の第3導電体(M3)と、有機絶縁膜のスルーホール(H32)および層間絶縁膜のスルーホール(H18)を通って第1導電体に到るコンタクトホール(CH)とを備え、第2導電体(J2)および第3導電体(M3)がコンタクトホールの開口面(K)と重なるように形成され、第3導電体(M3)が第1導電体(M1)および第2導電体(J2)と接触する。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)