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1. (WO2018180770) PIEZOELECTRIC COMPOSITION AND PIEZOELECTRIC ELEMENT
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina InternacionalFormular observación

Nº de publicación: WO/2018/180770 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/011037
Fecha de publicación: 04.10.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 20.03.2018
CIP:
C04B 35/495 (2006.01) ,H01L 41/083 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/43 (2013.01)
C QUIMICA; METALURGIA
04
CEMENTOS; HORMIGON; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS; REFRACTARIOS
B
LIMA; MAGNESIA; ESCORIAS; CEMENTOS; SUS COMPOSICIONES, p. ej. MORTEROS, HORMIGON O MATERIALES DE CONSTRUCCION SIMILARES; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS; REFRACTARIOS; TRATAMIENTO DE LA PIEDRA NATURAL
35
Productos cerámicos modelados, caracterizados por su composición; Composiciones cerámicas; Tratamiento de polvos de compuestos inorgánicos previamente a la fabricación de productos cerámicos
01
a base de óxidos.
495
a base de óxidos de vanadio, niobio, tántalo, molibdeno o tungsteno o de sus soluciones sólidas con otros óxidos, p. ej. vanadatos, niobatos, tantalatos, molibdatos o tungstatos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
08
Elementos piezoeléctricos o electroestrictivos
083
que tienen estructura apilada o multicapa
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
16
Selección de materiales
18
para los elementos piezoeléctricos o electroestrictivos
187
Composiciones cerámicas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
22
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la montaje, fabricación o tratamiento de estos elementos o de sus partes constitutivas
35
Formación de materiales piezoeléctricos o electroestrictivos
39
Materiales inorgánicos
43
por sinterización
Solicitantes:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
Personas inventoras:
廣瀬 正和 HIROSE, Masakazu; JP
廣瀬 維子 HIROSE, Yuiko; JP
加藤 浩輝 KATOH, Hiroki; JP
Mandataria/o:
前田・鈴木国際特許業務法人 MAEDA & SUZUKI; 東京都千代田区一ツ橋2丁目5番5号 岩波書店一ツ橋ビル8階 8F, Iwanami Shoten Hitotsubashi Bldg., 5-5, Hitotsubashi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010003, JP
Datos de prioridad:
2017-06238128.03.2017JP
Título (EN) PIEZOELECTRIC COMPOSITION AND PIEZOELECTRIC ELEMENT
(FR) COMPOSITION PIÉZOÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電組成物および圧電素子
Resumen:
(EN) [Problem] To provide: a piezoelectric composition able to achieve a balance between mechanical strength and electromechanical coupling coefficient k31; and a piezoelectric element comprising the piezoelectric composition. [Solution] A piezoelectric composition which contains manganese and a composite oxide having a perovskite structure represented by general formula ABO3, wherein the piezoelectric composition is characterized in that: the A site element in the ABO3 is potassium or potassium and sodium; the B site element is niobium; and in the piezoelectric composition, a variation exists in the concentration distribution of manganese, and this variation is 35-440% in terms of CV value.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir : une composition piézoélectrique apte à atteindre un équilibre entre la force mécanique et le coefficient de couplage électromécanique k31; et un élément piézoélectrique comprenant la composition piézoélectrique. La solution selon l'invention porte sur une composition piézoélectrique qui contient du manganèse et un oxyde composite ayant une structure pérovskite représentée par la formule générale ABO3, où la composition piézoélectrique est caractérisée comme suit : l'élément du site (A) dans l'ABO3 est le potassium ou le potassium et le sodium; l'élément du site (B) est le niobium; et dans la composition piézoélectrique, une variation existe dans la distribution des concentrations du manganèse, et ladite variation est de 35 à 440 % en termes de valeur (CV).
(JA) 【課題】機械的強度と電気機械結合係数k31とを両立できる圧電組成物と、その圧電組成物を備える圧電素子を提供すること。 【解決手段】一般式ABOで表されるペロブスカイト構造を有する複合酸化物と、マンガンと、を含む圧電組成物であって、ABOにおけるAサイト元素が、カリウム、または、カリウムおよびナトリウムであり、Bサイト元素がニオブであり、圧電組成物において、マンガンの濃度分布がばらつきを有しており、当該ばらつきがCV値で、35%以上440%以下であることを特徴とする圧電組成物である。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)