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1. (WO2018180663) PLASMA TREATMENT METHOD
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Nº de publicación: WO/2018/180663 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/010697
Fecha de publicación: 04.10.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 19.03.2018
CIP:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H05H 1/00 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
306
Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica
3065
Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
304
Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
H
TECNICA DEL PLASMA; PRODUCCION DE PARTICULAS ACELERADAS ELECTRICAMENTE CARGADAS O DE NEUTRONES; PRODUCCION O ACELERACION DE HACES MOLECULARES O ATOMICOS NEUTROS
1
Producción del plasma; Manipulación del plasma
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
H
TECNICA DEL PLASMA; PRODUCCION DE PARTICULAS ACELERADAS ELECTRICAMENTE CARGADAS O DE NEUTRONES; PRODUCCION O ACELERACION DE HACES MOLECULARES O ATOMICOS NEUTROS
1
Producción del plasma; Manipulación del plasma
24
Producción del plasma
46
utilizando campos electromagnéticos aplicados, p. ej. energía a alta frecuencia o en forma de microondas
Solicitantes:
株式会社 日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi-Shimbashi 1-chome,Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
Personas inventoras:
廣田 侯然 HIROTA, Kosa; JP
角屋 誠浩 SUMIYA, Masahiro; JP
中宇禰 功一 NAKAUNE, Koichi; JP
玉利 南菜子 TAMARI, Nanako; JP
井上 智己 INOUE, Satomi; JP
中元 茂 NAKAMOTO, Shigeru; JP
Mandataria/o:
特許業務法人第一国際特許事務所 Patent Corporate Body Dai-ichi Kokusai Tokkyo Jimusho; JP
Datos de prioridad:
2017-06035327.03.2017JP
Título (EN) PLASMA TREATMENT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理方法
Resumen:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a plasma treatment method for plasma etching a wafer such as a semiconductor substrate, wherein composite deposits of a metal and a non-metal that are deposited within a treatment chamber due to a wafer etching process can be removed and the generation of foreign contaminants due to the deposits can be reduced. Provided is a plasma treatment method in which a sample is plasma etched in a treatment chamber and the inside of the treatment chamber is plasma cleaned, the plasma treatment method is characterized: by comprising an etching step in which a prescribed number of the samples are plasma etched, a metal removal step in which, after the etching step, a deposition film containing a metallic element is removed using a plasma, and a non-metal removal step in which a deposition film containing a non-metallic element is removed using a plasma which differs from the plasma used in the metal removal step; and in that the metal removal step and the non-metal removal step are repeated at least two times.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir un procédé de traitement au plasma pour la gravure au plasma d'une tranche telle qu'un substrat semi-conducteur, grâce auquel des dépôts composites d'un métal et d'un non-métal, qui sont déposés à l'intérieur d'une chambre de traitement sous l'effet d'un processus de gravure de tranche, peuvent être éliminés et la production de contaminants étrangers due aux dépôts peut être réduite. À cet effet, l'invention concerne un procédé de traitement au plasma dans lequel un échantillon est gravé au plasma dans une chambre de traitement et dans lequel l'intérieur de la chambre de traitement est nettoyé au plasma, le procédé de traitement au plasma se caractérisant : en ce qu'il comprend une étape de gravure dans laquelle un nombre prescrit des échantillons sont gravés au plasma, une étape d'élimination de métal dans laquelle, après l'étape de gravure, un film de dépôt contenant un élément métallique est retiré à l'aide d'un plasma, et une étape de retrait de non-métal, dans laquelle un film de dépôt contenant un élément non métallique est retiré à l'aide d'un plasma qui diffère du plasma utilisé dans l'étape d'élimination de métal ; et en ce que l'étape d'élimination de métal et l'étape de retrait de non-métal sont répétées au moins deux fois.
(JA) 本発明の目的は、半導体基板等のウエハをプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、ウエハのエッチング処理によって処理室内に堆積する金属と非金属の複合堆積物を除去し、堆積物による異物の発生を低減することのできるプラズマ処理方法を提供する。 本発明は、処理室内にて試料をプラズマエッチングし前記処理室内をプラズマクリーニングするプラズマ処理方法において、前記試料を所定枚数プラズマエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程後、プラズマを用いて金属元素を含有する堆積膜を除去する金属除去工程と、前記金属除去工程のプラズマと異なるプラズマを用いて非金属元素を含有する堆積膜を除去する非金属除去工程を有し、前記金属除去工程と前記非金属除去工程とを2回以上繰り返すことを特徴とする。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)
También publicado como:
KR1020180122600