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1. (WO2018180340) PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC DEVICE
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina InternacionalFormular observación

Nº de publicación: WO/2018/180340 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/009015
Fecha de publicación: 04.10.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 08.03.2018
CIP:
H01L 41/319 (2013.01) ,H01L 41/047 (2006.01) ,H01L 41/113 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/316 (2013.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
22
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la montaje, fabricación o tratamiento de estos elementos o de sus partes constitutivas
31
Aplicando piezoeléctricos o partes electroestrictivos o cuerpos hasta un elemento eléctrico u otra base
314
depositando capas piezoeléctricos o electroestrictivos, p. ej.:aerosol o impresión de pantalla
319
usando capas intermedias, p. ej.:para el control de crecimiento
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
02
Detalles
04
de elementos piezoeléctricos o electroestrictivos
047
Electrodos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
08
Elementos piezoeléctricos o electroestrictivos
113
de entrada mecánica y salida eléctrica
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
16
Selección de materiales
18
para los elementos piezoeléctricos o electroestrictivos
187
Composiciones cerámicas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
22
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la montaje, fabricación o tratamiento de estos elementos o de sus partes constitutivas
31
Aplicando piezoeléctricos o partes electroestrictivos o cuerpos hasta un elemento eléctrico u otra base
314
depositando capas piezoeléctricos o electroestrictivos, p. ej.:aerosol o impresión de pantalla
316
por deposición en fase vapor
Solicitantes:
日東電工株式会社 NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 1-1-2, Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka 5678680, JP
Personas inventoras:
有本 将治 ARIMOTO, Masaharu; JP
待永 広宣 MACHINAGA, Hironobu; JP
▲葛▼田 真郷 KATSUDA, Masato; JP
黒瀬 愛美 KUROSE, Manami; JP
Mandataria/o:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
Datos de prioridad:
2017-06554729.03.2017JP
Título (EN) PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
Resumen:
(EN) Provided are: a piezoelectric device which is provided with a flexible plastic layer and has excellent piezoelectric properties, and in which cracking or fracture is suppressed; and a method for manufacturing the same. This piezoelectric device has stacked therein, at least a first electrode, a plastic layer, an orientation control layer, a piezoelectric layer, and a second electrode, wherein the orientation control layer is amorphous, the piezoelectric layer, which has a thickness of 20-250 nm and a wurtzite-type crystal structure, is formed on the orientation control layer, and the orientation control layer and the piezoelectric layer are disposed between the first electrode and the second electrode.
(FR) L'invention concerne : un dispositif piézoélectrique qui comprend une couche de plastique souple et qui présente d'excellentes propriétés piézoélectriques, et dans lequel la fissuration ou la fracture est supprimée; et un procédé de fabrication de celui-ci. A l’intérieur ce dispositif piézoélectrique est empilé, au moins une première électrode, une couche plastique, une couche de commande d'orientation, une couche piézoélectrique et une seconde électrode, la couche de commande d'orientation étant amorphe, la couche piézoélectrique, qui a une épaisseur de 20 à 250 nm et une structure cristalline de type wurtzite, est formée sur la couche de commande d'orientation, et la couche de commande d'orientation et la couche piézoélectrique sont disposées entre la première électrode et la seconde électrode.
(JA) 屈曲性を有するプラスチック層を有し、かつ、良好な圧電特性を備え、クラックまたは割れが抑制された、圧電デバイスとその製造方法を提供する。少なくとも、第1電極、プラスチック層、配向制御層、圧電体層、及び第2電極が積層された圧電デバイスにおいて、前記配向制御層は非晶質であり、前記配向制御層の上に、ウルツ鉱型の結晶構造を有する厚さ20nm~250nmの圧電体層が形成されており、前記配向制御層と前記圧電体層が、前記第1電極と前記第2電極の間に配置されている。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)