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1. (WO2018180045) RESIST PATTERN FORMING METHOD
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Nº de publicación: WO/2018/180045 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/006275
Fecha de publicación: 04.10.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 21.02.2018
CIP:
G03F 7/012 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/40 (2006.01)
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
004
Materiales fotosensibles
008
Azidas
012
Azidas macromoleculares; Aditivos macromoleculares, p. ej. aglutinantes
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
20
Exposición; Aparellaje a este efecto
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
26
Tratamiento de materiales fotosensibles; Aparellaje a este efecto
40
Tratamiento tras la eliminación según la imagen, p. ej. esmaltado
Solicitantes:
日本ゼオン株式会社 ZEON CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番2号 6-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008246, JP
Personas inventoras:
佐藤 信寛 SATO Nobuhiro; JP
Mandataria/o:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
Datos de prioridad:
2017-06579929.03.2017JP
Título (EN) RESIST PATTERN FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) レジストパターン形成方法
Resumen:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a resist pattern forming method by which a resist pattern having an inverse taper shape with a good cross-section and having a reduced amount of residual moisture and residual organic components can be formed. The resist forming method of the present invention comprises: a step for forming a radiation-sensitive resin film by using a resin solution including an alkali soluble resin, a cross-linking component, and an organic solvent; a step for forming a cured film by exposing the radiation-sensitive resin film to light; a step for forming a developed pattern by developing the cured film; and a step for obtaining a resist pattern by performing a post-development bake on the developed pattern, wherein the alkali soluble resin includes 35-90 mass% of a polyvinylphenol resin, and the temperature of the post-development bake is 200°C or higher.
(FR) Le but de la présente invention est de fournir un procédé de formation de motif de réserve par lequel un motif de réserve ayant une forme de conicité inverse avec une bonne section transversale et ayant une quantité réduite d'humidité résiduelle et de composants organiques résiduels peut être formé. Le procédé de formation de réserve selon la présente invention comprend : une étape consistant à former un film de résine sensible au rayonnement à l'aide d'une solution de résine comprenant une résine soluble dans les alcalis, un composant de réticulation et un solvant organique ; une étape consistant à former un film durci par exposition du film de résine sensible au rayonnement à la lumière ; une étape consistant à former un motif développé par développement du film durci ; et une étape consistant à obtenir un motif de réserve en effectuant une cuisson post-développement sur le motif développé, la résine soluble dans les alcalis comprenant de 35 à 90 % en masse d'une résine de polyvinylphénol, et la température de la cuisson post-développement étant supérieure ou égale à 200 °C.
(JA) 本発明は、断面が良好な逆テーパー形状を有する共に、残留水分および残留有機分が低減されたレジストパターンを形成可能なレジストパターンの形成方法の提供を目的とする。本発明のレジストパターン形成方法は、アルカリ可溶性樹脂、架橋成分、および有機溶剤を含む樹脂液を用いて感放射線性樹脂膜を形成する工程と、前記感放射線性樹脂膜を露光して硬化膜を形成する工程と、前記硬化膜を現像して現像パターンを形成する工程と、前記現像パターンにポスト現像ベークを施してレジストパターンを得る工程と、を含み、前記アルカリ可溶性樹脂が、ポリビニルフェノール樹脂を35質量%以上90質量%以下含み、前記ポスト現像ベークの温度が200℃以上である。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)