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1. (WO2018179121) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional

Nº de publicación: WO/2018/179121 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/012839
Fecha de publicación: 04.10.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 29.03.2017
CIP:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786
Transistores de película delgada
G FISICA
02
OPTICA
F
DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES
1
Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal
01
para el control de la intensidad, fase, polarización o del color
13
basados en cristales líquidos, p. ej. celdas de presentación individuales de cristales líquidos
133
Disposiciones relativas a la estructura; Excitación de celdas de cristales líquidos; Disposiciones relativas a los circuitos
136
Celdas de cristales líquidos asociados estructuralmente con una capa o un sustrato semiconductores, p. ej. celdas que forman parte de un circuito integrado
1362
Celdas direccionadas por una matriz activa
1368
en los que el elemento de conmutación es un dispositivo de tres electrodos
Solicitantes:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Personas inventoras:
岡部 達 OKABE, Tohru; --
田中 哲憲 TANAKA, Tetsunori; --
家根田 剛士 YANEDA, Takeshi; --
Mandataria/o:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Datos de prioridad:
Título (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
Resumen:
(EN) A semiconductor device (10) provided to a pixel circuit of a display apparatus (1) includes, sequentially from the lower side: a substrate (11); a LTPS layer (135SLA); a first gate insulating layer (14); a first metal layer (145GA, 145GB); a first planarization layer (15); a second insulating layer (16); an oxide semiconductor layer (165SLB); a second metal layer (165SB, 165DB), a passivation layer (17); and a third metal layer (165CA). A gate electrode (145GA) of a LTPS-TFT (10A) and a gate electrode (145GB) of an oxide semiconductor TFT (10B) are formed by the first metal layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (10) disposé sur un circuit de pixel d'un appareil d'affichage (1) comprenant, de manière séquentielle à partir du côté inférieur : un substrat (11); une couche LTPS (135SLA); une première couche d'isolation de grille (14); une première couche métallique (145GA, 145GB); une première couche de planarisation (15); une seconde couche d'isolation (16); une couche semi-conductrice d'oxyde (165SLB); une seconde couche métallique (165SB, 165DB), une couche de passivation (17); et une troisième couche métallique (165CA). Une électrode de grille (145GA) d'un LTPS-TFT (10A) et une électrode de grille (145GB) d'un TFT à semi-conducteur à oxyde (10B) sont formées par la première couche métallique.
(JA) 表示装置(1)の画素回路に設けられる半導体装置(10)は、下側から順に、基板(11)と、LTPS層(135SLA)と、第1ゲート絶縁層(14)と、第1金属層(145GA・145GB)と、第1平坦化層(15)と、第2ゲート絶縁層(16)と、酸化物半導体層(165SLB)半導体層と、第2金属層(165SB・165DB)と、パッシベーション層(17)と、第3金属層(165CA)と、を含む。LTPS-TFT(10A)のゲート電極(145GA)と酸化物半導体TFT(10B)のゲート電極(145GB)とは、第1金属層により形成される。
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Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)