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1. (WO2018166024) METHOD FOR MANUFACTURING TFT AND METHOD FOR MANUFACTURING ARRAY SUBSTRATE
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Nº de publicación: WO/2018/166024 Nº de la solicitud internacional: PCT/CN2017/080406
Fecha de publicación: 20.09.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 13.04.2017
CIP:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
334
Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar
335
Transistores de efecto de campo
336
con puerta aislada
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
28
Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/268228
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786
Transistores de película delgada
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
70
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos
77
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
02
incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie
12
el sustrato es diferente de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante
Solicitantes:
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No. 9-2, Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Personas inventoras:
蔡小龙 CAI, Xiaolong; CN
Mandataria/o:
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) CHINA WISPRO INTELLECTUAL PROPERTY LLP.; 中国广东省深圳市 南山区高新区粤兴三道8号中国地质大学产学研基地中地大楼A806 Room A806 Zhongdi Building, China University of Geosciences Base, No. 8 Yuexing 3rd Road, High-Tech Industrial Estate, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518057, CN
Datos de prioridad:
201710153568.015.03.2017CN
Título (EN) METHOD FOR MANUFACTURING TFT AND METHOD FOR MANUFACTURING ARRAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATRICE
(ZH) TFT的制造方法及阵列基板的制造方法
Resumen:
(EN) A method for manufacturing a TFT and a method for manufacturing an array substrate. The method comprises: forming, on a base substrate (20), transfer layers (212) that are provided alternately at intervals; forming, on the transfer layers, a metal layer (22) covering the base substrate; and carrying out a DIW demoulding process on the transfer layers, so as to strip the transfer layers and the metal layer above same from the base substrate, and keeping the metal layer, not provided above the transfer layers, on the base substrate, so as to form a metal electrode (23) of the TFT.
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication d’un transistor à couches minces et un procédé de fabrication d’un substrat de matrice. Le procédé consiste à : former, sur un substrat de base (20), des couches de transfert (212) qui sont disposées en alternance à intervalles ; former, sur les couches de transfert, d'une couche métallique (22) recouvrant le substrat de base ; et réaliser un processus de démoulage DIW sur les couches de transfert, de manière à dénuder les couches de transfert et la couche métallique au-dessus de celles-ci à partir du substrat de base, et conserver la couche métallique, non disposée au-dessus des couches de transfert, sur le substrat de base, de manière à former une électrode métallique (23) du transistor à couches minces.
(ZH) 一种TFT的制造方法及阵列基板的制造方法。在衬底基材(20)上形成交错间隔设置的中转层(212);在中转层上形成覆盖衬底基材的金属层(22);对中转层进行DIW脱膜制程,以将中转层及其上方的金属层从衬底基材上剥离,而未设置在中转层上方的金属层保留在衬底基材上而形成TFT的金属电极(23)。
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Chino (ZH)
Idioma de la solicitud: Chino (ZH)