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1. (WO2018161093) GRAPHENE BASED IN-PLANE MICRO-SUPERCAPACITORS
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Nº de publicación: WO/2018/161093 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2018/021187
Fecha de publicación: 07.09.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 06.03.2018
CIP:
H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 23/64 (2006.01) ,H01L 23/52 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01) ,H01L 23/66 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
48
Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
58
Disposiciones eléctricas estructurales no previstas en otra parte para dispositivos semiconductores
64
Disposiciones relativas a la impedancia
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
52
Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
52
Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro
522
que comprenden interconexiones externas formadas por una estructura multicapa de capas conductoras y aislantes inseparables del cuerpo semiconductor sobre el cual han sido depositadas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
52
Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro
522
que comprenden interconexiones externas formadas por una estructura multicapa de capas conductoras y aislantes inseparables del cuerpo semiconductor sobre el cual han sido depositadas
532
caracterizadas por los materiales
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
58
Disposiciones eléctricas estructurales no previstas en otra parte para dispositivos semiconductores
64
Disposiciones relativas a la impedancia
66
Adaptaciones para la alta frecuencia
Solicitantes:
POHLMAN, William [US/US]; US
Personas inventoras:
POHLMAN, William; US
Mandataria/o:
PLAGER, Mark; US
O'BRIEN, Michael; US
Datos de prioridad:
15/791,79224.10.2017US
62/466,20602.03.2017US
Título (EN) GRAPHENE BASED IN-PLANE MICRO-SUPERCAPACITORS
(FR) MICRO-SUPERCONDENSATEURS PLANAIRES À BASE DE GRAPHÈNE
Resumen:
(EN) This invention relates to electrical circuitry. Previously, integrated circuits utilized aluminum or copper deposition for power distribution, but this was inefficient. Embodiments of the present invention use at least one layer of graphene deposited across the integrated circuit layers in order to increase the efficiency of the integrated circuit.
(FR) La présente invention concerne des circuits électriques. Auparavant, des circuits intégrés utilisaient un dépôt d'aluminium ou de cuivre pour la distribution de puissance, mais cela était inefficace. Des modes de réalisation de la présente invention utilisent au moins une couche de graphène déposée à travers les couches de circuit intégré afin d'augmenter l'efficacité du circuit intégré.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)