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1. (WO2018159389) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE
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Nº de publicación: WO/2018/159389 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/006013
Fecha de publicación: 07.09.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 20.02.2018
CIP:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/13 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01) ,H01Q 21/06 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786
Transistores de película delgada
G FISICA
02
OPTICA
F
DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES
1
Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal
01
para el control de la intensidad, fase, polarización o del color
13
basados en cristales líquidos, p. ej. celdas de presentación individuales de cristales líquidos
G FISICA
02
OPTICA
F
DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES
1
Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal
01
para el control de la intensidad, fase, polarización o del color
13
basados en cristales líquidos, p. ej. celdas de presentación individuales de cristales líquidos
133
Disposiciones relativas a la estructura; Excitación de celdas de cristales líquidos; Disposiciones relativas a los circuitos
1333
Disposiciones relativas a la estructura
1343
Electrodos
G FISICA
02
OPTICA
F
DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES
1
Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal
01
para el control de la intensidad, fase, polarización o del color
13
basados en cristales líquidos, p. ej. celdas de presentación individuales de cristales líquidos
133
Disposiciones relativas a la estructura; Excitación de celdas de cristales líquidos; Disposiciones relativas a los circuitos
136
Celdas de cristales líquidos asociados estructuralmente con una capa o un sustrato semiconductores, p. ej. celdas que forman parte de un circuito integrado
1362
Celdas direccionadas por una matriz activa
1368
en los que el elemento de conmutación es un dispositivo de tres electrodos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
Q
ANTENAS
3
Dispositivos para cambiar o hacer variar la orientación o la forma del diagrama direccional de las ondas radiadas por una antena o por un sistema de antenas
26
haciendo variar la fase relativa o la amplitud relativa de la energía de excitación entre dos o más elementos radiantes activos; haciendo variar la distribución de energía a través de una abertura radiante
30
haciendo variar la fase
34
por medios eléctricos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
Q
ANTENAS
3
Dispositivos para cambiar o hacer variar la orientación o la forma del diagrama direccional de las ondas radiadas por una antena o por un sistema de antenas
44
haciendo variar las características eléctricas o magnéticas de los dispositivos de reflexión, refracción o difracción asociados al elemento radiante
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
Q
ANTENAS
13
Cuernos o bocas de guía de onda; Antenas de ranura; Antenas guía de onda con ondas de fuga; Estructuras equivalentes que producen una radiación a lo largo del trayecto de la onda guiada
20
Antenas guía de ondas no resonante con ondas de fuga o antenas constituidas por una línea de transmisión; Estructuras equivalentes que producen una radiación a lo largo del trayecto de la onda guiada
22
Ranura longitudinal en la pared límite de la guía de onda o de una línea de transmisión
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
Q
ANTENAS
21
Sistemas o redes de antenas
06
Redes de unidades de antenas, de la misma polarización, excitadas individualmente y espaciadas entre ellas
Solicitantes:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Personas inventoras:
美崎 克紀 MISAKI Katsunori; --
Mandataria/o:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
Datos de prioridad:
2017-03714028.02.2017JP
Título (EN) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT TFT, ANTENNE À BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT TFT, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT
(JA) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
Resumen:
(EN) A TFT substrate (106) is provided with: a transmission/reception region (R1) that includes a plurality of antenna unit regions (U); and a non-transmission/reception region (R2) that is positioned in a region other than the transmission/reception region. Each of the antenna unit regions has a TFT (10), and a patch electrode (15) that is electrically connected to a drain electrode (7D) of the TFT. The TFT substrate has a gate metal layer (3) that includes a gate electrode (3G) of the TFT, a gate insulating layer (4), a source metal layer (7) that includes a drain electrode and a source electrode (7S) of the TFT, a first insulating layer (11), a patch metal layer (15l) that includes a patch electrode, a second insulating layer (17), and an upper conductive layer (19). The upper conductive layer includes a patch drain connection part (19a) that is electrically connected to the patch electrode and the drain electrode.
(FR) La présente invention concerne un substrat TFT (106) comprenant : une région d'émission/réception (R1) incluant la pluralité de régions d'unité d'antenne (U) ; et une région de non-émission/réception (R2) positionnée dans une région autre que la région d'émission/réception. Chaque zone de la pluralité de zones d'unité d'antenne comprend un transistor en couches minces (TFT) (10) et une électrode adhésive (15) connectée électriquement à une électrode de drain (7D) du TFT. Le substrat TFT a une couche de métal de grille (3) qui comprend une électrode de grille (3G) du TFT, une couche d'isolation de grille (4), une couche de métal de source (7) qui comprend une électrode de drain et une électrode de source (7S) du TFT, une première couche d'isolation (11), une couche métallique adhésive (15l) qui comprend une électrode de plaque, une seconde couche d'isolation (17), et une couche conductrice supérieure (19). La couche conductrice supérieure comprend une partie de connexion de drain adhésive (19a) qui est électriquement connectée à l'électrode de plaque et à l'électrode de drain.
(JA) TFT基板(106)は、複数のアンテナ単位領域(U)を含む送受信領域(R1)と、送受信領域以外の領域に位置する非送受信領域(R2)とを備える。複数のアンテナ単位領域のそれぞれは、TFT(10)と、TFTのドレイン電極(7D)に電気的に接続されたパッチ電極(15)とを有する。TFT基板は、TFTのゲート電極(3G)を含むゲートメタル層(3)と、ゲート絶縁層(4)と、TFTのソース電極(7S)およびドレイン電極を含むソースメタル層(7)と、第1絶縁層(11)と、パッチ電極を含むパッチメタル層(15l)と、第2絶縁層(17)と、上部導電層(19)とを有し、上部導電層は、パッチ電極およびドレイン電極と電気的に接続されたパッチドレイン接続部(19a)を含む。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)