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1. (WO2018158124) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
Nota: Texto obtenido mediante procedimiento automático de reconocimiento óptico de caracteres.
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Patentansprüche

1. Optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend

- eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven

Bereich, der zumindest über eine

Hauptstrahlungsaustrittsflache (11) in Betrieb Strahlung emittiert,

- ein freitragendes Konversionselement (2), das im

Strahlengang der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist,

- wobei das freitragende Konversionselement (2) ein

Substrat (21) und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein

Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einer

Glasmatrix (221) eingebettet ist,

- wobei die Glasmatrix (221) einen Anteil von 50 bis 80 Vol.-% in der ersten Schicht (22) aufweist,

- wobei das Substrat (21) frei von der Glasmatrix (221) und dem Konversionsmaterial (222) ist und zur

mechanischen Stabilisierung der ersten Schicht (22) dient,

- wobei die erste Schicht (22) eine Schichtdicke von

kleiner als 200 ym aufweist.

2. Optoelektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 1, wobei das Substrat (21) Glas, Glaskeramik, Keramik oder

Saphir ist.

3. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei das Substrat (21) eine höhere Erweichungstemperatur als die Erweichungstemperatur der Glasmatrix (221) aufweist.

4. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei zwischen der Hauptstrahlungsaustrittsflache (11) und der ersten Schicht (22) das Substrat (21) angeordnet ist.

5. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3,

wobei zwischen der Hauptstrahlungsaustrittsflache (11) und dem Substrat (21) die erste Schicht (22) angeordnet ist.

6. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die erste Schicht (22) eine dem Substrat (21)

abgewandte Oberfläche (8) aufweist, die oberflächenbehandelt ist.

7. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei das freitragende Konversionselement (2) mittels eines Klebers (3) auf der Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) angeordnet ist.

8. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Glasmatrix (221) oxidisch ist und zumindest eines der folgenden Materialien aufweist: Bleioxid, Bismutoxid, Boroxid, Siliziumdioxid, Tellurdioxid, Phosphorpentoxid, Aluminiumoxid oder Zinkoxid.

9. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Glasmatrix (221) ZnO, B2O3 und S1O2 umfasst.

10. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Glasmatrix (221) ZnO, zumindest einen Glasbildner und einen Netzwerkwandler oder ein Zwischenoxid aufweist, der zumindest eines der folgenden Materialien umfasst:

Erdalkalioxid, Alkalioxid, Aluminiumoxid, Zirkoniumoxid, Nioboxid, Tantaloxid, Tellurdioxid, Wolframoxid,

Molybdänoxid, Antimonoxid, Silberoxid, Zinnoxid, Oxid der Seltenen Erden.

11. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Glasmatrix (221) ein Telluritglas , ein Silikatglas, ein Alumosilikatglas , ein Boratglas, ein Borosilikatglas oder ein Phosphatglas ist.

12. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Glasmatrix (221) einen Anteil von maximal 75 Vol.-% in der ersten Schicht aufweist.

13. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei das zumindest eine Konversionsmaterial (222) aus folgender Gruppe ausgewählt ist:

(Y, Gd, Tb, Lu) 3 (AI, Ga) 5O12 : Ce3+, (Sr, Ca) AIS1N3 : Eu2+,

(Sr,Ba,Ca,Mg)2Si5N8:Eu2+, (Ca, Sr, Ba) 2S1O4 : Eu2+, -SiA10 : Eu2+, ß-SiA10N:Eu2+, ( Sr, Ca) S : Eu2 , ( Sr, Ba, Ca) 2 ( Si , AI ) 5 (N, 0) 8 : Eu2+, (Ca, Sr) 8Mg (Si04) 4Cl2:Eu2+, (Sr,Ba) Si2N202 : Eu2+ .

14. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei das Substrat (21) eine Dicke von 50 ym bis 200 ym aufweist .

15. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Kleberschicht (3) eine Dicke von 500 nm bis 15 ym aufweist .

16. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen

Bauelements (100) nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 15 mit den Schritten:

A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine

Hauptstrahlungsaustrittsflache (11) in Betrieb Strahlung emittiert,

B) Aufbringen eines Konversionselements (2) zumindest auf die Hauptstrahlungsaustrittsflache (11), das freitragend ist und vor dem Aufbringen wie folgt hergestellt wird:

Bl) Mischung von zumindest einem Konversionsmaterial (222) und einem Glaspulver, das nach einem späteren

Verglasungsschritt die Glasmatrix (221) erzeugt, und

gegebenenfalls weiteren Stoffen wie Lösemittel und Binder zur Erzeugung einer Paste,

B2) Aufbringen der Paste oder Dispersion auf ein Substrat (21) zur Erzeugung einer ersten Schicht (22),

B3) Trocknen der ersten Schicht (22) bei mindestens 75 °C, B4) Erhitzen des Substrats (21) und der ersten Schicht (22) auf eine Temperatur die mindestens so hoch ist wie die

Temperatur, bei der die Glasmatrix (221) der ersten Schicht (22) eine Viskosität von 105 dPa*s besitzt, wobei die

Temperatur größer als 350°C ist , und

B5) gegebenenfalls Behandeln einer dem Substrat (21)

abgewandten Oberfläche (8) der ersten Schicht.

17. Verfahren nach Anspruch 16,

wobei Schritt B2) mittels Rakeln, Siebdruck, Schablonendruck, Foliengießen, Dispensen, Spin Coating oder Sprühbeschichtung erfolgt .