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1. (WO2018158124) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
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Nº de publicación: WO/2018/158124 Nº de la solicitud internacional: PCT/EP2018/054283
Fecha de publicación: 07.09.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 21.02.2018
CIP:
H01L 33/50 (2010.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
50
Elementos de conversión de longitud de onda
Solicitantes:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Personas inventoras:
FRISCHEISEN, Jörg; DE
EBERHARDT, Angela; DE
PESKOLLER, Florian; DE
HUCKENBECK, Thomas; DE
SCHMIDBERGER, Michael; DE
BAUER, Jürgen; DE
Mandataria/o:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Datos de prioridad:
10 2017 104 133.828.02.2017DE
Título (DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
(EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Resumen:
(DE) Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein freitragendes Konversionselement (2), das im Strahlengang der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei das freitragende Konversionselement (2) ein Substrat (21) und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einer Glasmatrix (221) eingebettet ist, wobei die Glasmatrix (221) einen Anteil von 50 bis 80 Vol.-% in der ersten Schicht (22) aufweist, wobei das Substrat (21) frei von der Glasmatrix (221) und dem Konversionsmaterial (222) ist und zur mechanischen Stabilisierung der ersten Schicht (22) dient, wobei die erste Schicht (22) eine Schichtdicke von kleiner als 200 μm aufweist.
(EN) The invention relates to an optoelectronic component (100) comprising a semiconductor layer sequence (1) with an active region that emits radiation at least over a main radiation emission surface (11) during operation, a self-supporting conversion element (2) arranged in the beam path of the semiconductor layer sequence (1), the self-supporting conversion element (2) comprising a substrate (21) and a first layer (22), the first layer (22) comprising at least one conversion material (222) embedded in a glass matrix (221) that represents between 50 and 80 vol.% of the first layer (22), the substrate (21) being free of the glass matrix (221) and the conversion material (222) and being used to mechanically stabilise the first layer (22), and the thickness of the first layer (22) being less than 200 μm.
(FR) L'invention concerne un composant optoélectronique (100) comprenant une succession de couches semi-conductrices (1) présentant une zone active qui émet un rayonnement au moins par l'intermédiaire d'une surface de sortie de rayonnement principale (11) lorsqu'elle est en fonctionnement, un élément de conversion autoportant (2) qui est placé dans le trajet optique de la succession de couches semi-conductrices (1), l'élément de conversion autoportant (2) comprenant un substrat (21) et une première couche (22), la première couche (22) comprenant au moins un matériau de conversion (222) qui est incorporé dans une matrice vitreuse (221), la proportion de la matrice vitreuse (221) dans la première couche (22) étant comprise entre 50 et 80 % en volume, le substrat (21) étant exempt de la matrice vitreuse (221) et du matériau de conversion (222) et servant à la stabilisation mécanique de la première couche (22), la première couche (22) présentant une épaisseur inférieure à 200 μm.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Alemán (DE)
Idioma de la solicitud: Alemán (DE)