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1. (WO2018157319) TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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Nº de publicación: WO/2018/157319 Nº de la solicitud internacional: PCT/CN2017/075275
Fecha de publicación: 07.09.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 28.02.2017
CIP:
H01L 29/78 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
Solicitantes:
华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区坂田华为总部办公楼 Huawei Administration Building, Bantian Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Personas inventoras:
徐慧龙 XU, Huilong; CN
李伟 LI, Wei; CN
张臣雄 ZHANG, Chen-Xiong; CN
Mandataria/o:
北京同立钧成知识产权代理有限公司 LEADER PATENT & TRADEMARK FIRM; 中国北京市 海淀区西直门北大街32号枫蓝国际A座8F-6 8F-6, Bldg. A, Winland International Center No. 32 Xizhimen North Street, Haidian District Beijing 100082, CN
Datos de prioridad:
Título (EN) TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À EFFET TUNNEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 隧穿场效应晶体管及其制造方法
Resumen:
(EN) A tunnel field-effect transistor and a manufacturing method therefor. The tunnel field-effect transistor comprises: a substrate layer (21); a conductive layer (22) comprising a first conductive part (221) and a second conductive part (222), the first conductive part (221) and the second conductive part (222) covering a part of the surface of the substrate layer (21), and the thickness of the first conductive part (221) being greater than that of the second conductive part (222); a source electrode (23) covering the outer surface of the first conductive part (221); a drain electrode (24) covering the outer surface of the second conductive part (222) distant from the first conductive part (221); a first insulating layer (25) located on the upper surface of the substrate layer (21) and covering the outer surfaces of the source electrode (23), the conductive layer (22), and the drain electrode (24); a gate (26) which covers the surface of the first insulating layer (25) distant from the conductive layer (22) and is located in a gap between the source electrode (23) and the drain electrode (24); and a second insulating layer (27) which covers the surfaces of the first insulating layer (25) and the gate (26) distant from the first insulating layer (25). The tunnel field-effect transistor can effectively improve the uniformity and reproducibility properties of a device while increasing the on-state current and the on/off ratio of the device.
(FR) La présente invention concerne un transistor à effet de champ à effet tunnel et son procédé de fabrication. Le transistor à effet de champ à effet tunnel comprend : une couche de substrat (21) ; une couche conductrice (22) comprenant une première partie conductrice (221) et une seconde partie conductrice (222), la première partie conductrice (221) et la seconde partie conductrice (222) recouvrant une partie de la surface de la couche de substrat (21), et l'épaisseur de la première partie conductrice (221) étant supérieure à celle de la seconde partie conductrice (222) ; une électrode source (23) recouvrant la surface externe de la première partie conductrice (221) ; une électrode drain (24) recouvrant la surface externe de la seconde partie conductrice (222) à distance de la première partie conductrice (221) ; une première couche isolante (25) située sur la surface supérieure de la couche de substrat (21) et recouvrant les surfaces externes de l'électrode source (23), la couche conductrice (22) et l'électrode drain (24) ; une grille (26) qui recouvre la surface de la première couche isolante (25) à distance de la couche conductrice (22) et située dans un espace entre l'électrode source (23) et l'électrode drain (24) ; et une seconde couche isolante (27) qui recouvre les surfaces de la première couche isolante (25) et de la grille (26) à distance de la première couche isolante (25). Le transistor à effet de champ à effet tunnel peut améliorer efficacement les propriétés d'uniformité et de reproductibilité d'un dispositif tout en augmentant le courant à l'état passant et le rapport marche/arrêt du dispositif.
(ZH) 一种隧穿场效应晶体管及其制造方法,该隧穿场效应晶体管包括:衬底层(21);导电层(22)包括第一导电部(221)和第二导电部(222),第一导电部(221)和第二导电部(222)覆盖在衬底层(21)的部分表面,第一导电部(221)的厚度大于第二导电部(222)的厚度;源区电极(23)覆盖在第一导电部(221)的外表面上;漏区电极(24)覆盖在第二导电部(222)远离第一导电部(221)的外表面上;第一绝缘层(25)位于衬底层(21)的上表面,且覆盖在源区电极(23)、导电层(22)和漏区电极(24)的外表面;栅极(26)覆盖在第一绝缘层(25)远离导电层(22)的表面上,且位于源区电极(23)与漏区电极(24)之间的空隙中;第二绝缘层(27)覆盖在第一绝缘层(25)和栅极(26)远离第一绝缘层(25)的表面上。所述隧穿场效应晶体管在提升器件的开态电流和开关比的同时,能够有效提高器件性能的均一性和可重复性。
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African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Chino (ZH)
Idioma de la solicitud: Chino (ZH)