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1. (WO2018139282) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2018/139282 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/001091
Fecha de publicación: 02.08.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 17.01.2018
CIP:
H01L 27/146 (2006.01) ,G02B 7/02 (2006.01) ,G03B 17/02 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
14
con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones
144
Dispositivos controlados por radiación
146
Estructuras de captadores de imágenes
G FISICA
02
OPTICA
B
ELEMENTOS, SISTEMAS O APARATOS OPTICOS
7
Monturas, medios de regulación o uniones estancas a la luz para elementos ópticos
02
para lentes
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
B
APARATOS O DISPOSITIVOS PARA HACER FOTOGRAFIAS, PARA PROYECTARLAS O VERLAS; APARATOS O DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN TECNICAS ANALOGAS UTILIZANDO ONDAS DIFERENTES DE LAS ONDAS OPTICAS; SUS ACCESORIOS
17
Partes constitutivas de aparatos o cuerpos de aparatos; Sus accesorios
02
Cuerpos de aparatos
H ELECTRICIDAD
04
TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS
N
TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION
5
Detalles de los sistemas de televisión
30
Transformación de información luminosa o análoga en información eléctrica
335
que utiliza sensores de imagen de estado sólido [SIES]
369
arquitectura SEIS; Circuitos asociados a los mismos
Solicitantes:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Personas inventoras:
宝玉 晋 HOGYOKU Susumu; JP
Mandataria/o:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Datos de prioridad:
2017-01430330.01.2017JP
Título (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET INSTRUMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置、及び、電子機器
Resumen:
(EN) The present art pertains to a semiconductor device with which it is possible to provide an optical system that is stable with respect to heat, and an electronic instrument. Provided is a semiconductor device equipped with a sensor and a holding substrate for holding the sensor, the semiconductor device satisfying the relationships (EI × tI) + (ES × tS) > 30 and 1.5 < CTEI < 4.5, where, regarding the sensor, ES(GPa) represents the Young's modulus and tS(mm) represents the thickness, and regarding the holding substrate, CTEI(ppm/K) represents the linear coefficient, EI(GPa) represents the Young's modulus, and tI(mm) represents the thickness. The present art can be applied to, e.g., a semiconductor package housing an image sensor.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur avec lequel il est possible de fournir un système optique qui est stable vis-à-vis de la chaleur, et un instrument électronique. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur équipé d'un capteur et d'un substrat de maintien destiné à maintenir le capteur, le dispositif à semi-conducteur satisfaisant les relations (EI × tI) + (ES × tS) > 30 et 1,5 < CTEI < 4,5, où, en ce qui concerne le capteur, ES (GPa) représente le module d'élasticité de Young et tS (mm) représente l'épaisseur, et en ce qui concerne le substrat de maintien, CTEI (ppm/K) représente le coefficient linéaire, EI (GPa) représente le module d'élasticité de Young, et tI (mm) représente l'épaisseur. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à un boîtier de semi-conducteur logeant un capteur d'image.
(JA) 本技術は、熱に対して安定な光学系を提供することができるようにする半導体装置、及び、電子機器に関する。 センサと、当該センサを保持する保持基板とを備え、センサについて、ヤング率をES(GPa),厚みをtS(mm)とし、保持基板について、線膨張係数をCTEI(ppm/K),ヤング率をEI(GPa),厚みをtI(mm)としたとき、(EI × tI)+(ES × tS) > 30、かつ、1.5 < CTEI < 4.5を満たしている半導体装置が提供される。本技術は、例えば、イメージセンサを収納した半導体パッケージに適用することができる。
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Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)