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1. (WO2018138370) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING SEMICONDUCTOR CHIP
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2018/138370 Nº de la solicitud internacional: PCT/EP2018/052198
Fecha de publicación: 02.08.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 30.01.2018
CIP:
H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/06 (2010.01) ,H01L 33/60 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
50
Elementos de conversión de longitud de onda
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
02
caracterizados por los cuerpos de semiconductores
04
con una estructura de efecto cuántico o super-red, p. ej. unión túnel
06
dentro de la región electroluminiscente, p. ej. estructura de confinamiento o barrera túnel
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
58
Elementos ópticos para modificación del campo
60
Elementos reflectantes
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
03
siendo todos los dispositivos de un tipo previsto en el mismo subgrupo de los gruposH01L27/-H01L51/191
04
los dispositivos no tienen contenedores separados
075
siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupoH01L33/107
Solicitantes:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Personas inventoras:
HAIBERGER, Luca; DE
Mandataria/o:
PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München, DE
Datos de prioridad:
10 2017 101 762.330.01.2017DE
10 2017 106 776.029.03.2017DE
Título (EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE
(DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT HALBLEITERCHIP
Resumen:
(EN) The invention relates to a semiconductor component (1) having a radiation-emitting semiconductor chip (2), wherein the semiconductor chip (2) is designed to generate a primary radiation, wherein the semiconductor chip (2) is covered by a first layer (11) having conversion material (18), wherein the conversion material (18) is designed to absorb the primary radiation and to emit a secondary radiation, wherein a conversion element (23) is arranged on the first layer (11), wherein the conversion element (23) has semiconductor layers (27), wherein the semiconductor layers (27) are designed to absorb the primary radiation and to emit a tertiary radiation.
(FR) L'invention concerne une composant semi-conducteur (1) comprenant une puce semi-conductrice (2) émettrice de rayonnement, cette puce semi-conductrice (2) étant conçue pour générer un rayonnement primaire. Ladite puce semi-conductrice (2) est recouverte d'une première couche (11) comprenant une matière de conversion (18), cette matière de conversion (18) étant conçue pour absorber le rayonnement primaire et émettre un rayonnement secondaire. Un élément de conversion (23) est disposé sur la première couche (11), cet élément de conversion (23) présentant des couches de semi-conducteur (27). Ces couches de semi-conducteur (27) sont conçues pour absorber le rayonnement primaire et émettre un rayonnement tertiaire.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (1) mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), wobei der Halb- leiterchip (2) ausgebildet ist, um eine Primärstrahlung zu erzeugen, wobei der Halbleiterchip (2) mit einer ersten Schicht (11) mit Konversionsmaterial (18) bedeckt ist, wobei das Konversionsmaterial (18) ausgebildet ist, um die Primärstrahlung zu absorbieren und eine Sekundärstrahlung abzugeben, wobei auf der ersten Schicht (11) ein Konversionselement (23) angeordnet ist, wobei das Konversionselement (23) Halbleiterschichten (27) aufweist, wobei die Halbleiterschichten (27) ausgebildet sind, um die Primärstrahlung zu absorbieren und eine Tertiärstrahlung zu emittieren.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Alemán (DE)
Idioma de la solicitud: Alemán (DE)