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1. (WO2018131144) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional

Nº de publicación: WO/2018/131144 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/001079
Fecha de publicación: 19.07.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 13.01.2017
CIP:
H01L 21/288 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
28
Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/268228
283
Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos
288
a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico
Solicitantes:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Personas inventoras:
中田 洋輔 NAKATA, Yosuke; JP
赤尾 真哉 AKAO, Shinya; JP
原田 健司 HARADA, Kenji; JP
Mandataria/o:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
Datos de prioridad:
Título (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Resumen:
(EN) A semiconductor substrate (1) has a front surface, and a rear surface on the reverse side of the front surface. Gate wiring (2) and first and second front surface electrodes (3, 4) are formed on the front surface of the semiconductor substrate (1). The first and second front surface electrodes (3, 4) are separated from each other by means of the gate wiring (2). An insulating film (7) is covering the gate wiring (2). Over the gate wiring (2), an electrode layer (8) is formed on the insulating film (7) and the first and second front surface electrodes (3, 4). A rear surface electrode (9) is formed on the rear surface of the semiconductor substrate (1). A first plated electrode (10) is formed on the electrode layer (8). A second plated electrode (11) is formed on the rear surface electrode (9).
(FR) Un substrat semi-conducteur (1) a une surface avant, et une surface arrière sur le côté arrière de la surface avant. Un câblage de grille (2) et des première et seconde électrodes de surface avant (3, 4) sont formés sur la surface avant du substrat semi-conducteur (1). Les première et seconde électrodes de surface avant (3, 4) sont séparées l'une de l'autre au moyen du câblage de grille (2). Un film isolant (7) recouvre le câblage de grille (2). Sur le câblage de grille (2), une couche d'électrode (8) est formée sur le film isolant (7) et les première et seconde électrodes de surface avant (3, 4). Une électrode de surface arrière (9) est formée sur la surface arrière du substrat semi-conducteur (1). Une première électrode plaquée (10) est formée sur la couche d'électrode (8). Une seconde électrode plaquée (11) est formée sur l'électrode de surface arrière (9).
(JA) 半導体基板(1)は互いに対向する表面及び裏面を持つ。ゲート配線(2)及び第1及び第2の表面電極(3,4)が半導体基板(1)の表面に形成されている。第1及び第2の表面電極(3,4)はゲート配線(2)により互いに分割されている。絶縁膜(7)がゲート配線(2)を覆っている。電極層(8)がゲート配線(2)を跨いで絶縁膜(7)及び第1及び第2の表面電極(3,4)の上に形成されている。裏面電極(9)が半導体基板(1)の裏面に形成されている。第1のめっき電極(10)が電極層(8)の上に形成されている。第2のめっき電極(11)が裏面電極(9)の上に形成されている。
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Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)