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1. (WO2018130954) SEMICONDUCTOR DEVICE
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina InternacionalFormular observación

Nº de publicación: WO/2018/130954 Nº de la solicitud internacional: PCT/IB2018/050160
Fecha de publicación: 19.07.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 11.01.2018
CIP:
G09G 3/36 (2006.01) ,G02F 1/133 (2006.01) ,G09G 3/20 (2006.01) ,G09G 3/30 (2006.01) ,G09G 3/3258 (2016.01) ,G11C 19/28 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
G FISICA
09
ENSEÑANZA; CRIPTOGRAFIA; PRESENTACION; PUBLICIDAD; PRECINTOS
G
DISPOSICIONES O CIRCUITOS PARA EL CONTROL DE DISPOSITIVOS DE REPRESENTACION QUE UTILIZAN MEDIOS ESTATICOS PARA PRESENTAR UNA INFORMACION VARIABLE
3
Disposiciones o circuitos de control que presentan interés únicamente para la representación utilizando medios de visualización que no sean tubos de rayos catódicos
20
para la presentación de un conjunto de varios caracteres, p. ej. de una página, componiendo el conjunto por combinación de elementos individuales colocados en una matriz
34
controlando la luz que proviene de una fuente independiente
36
que utilizan cristales líquidos
G FISICA
02
OPTICA
F
DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES
1
Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal
01
para el control de la intensidad, fase, polarización o del color
13
basados en cristales líquidos, p. ej. celdas de presentación individuales de cristales líquidos
133
Disposiciones relativas a la estructura; Excitación de celdas de cristales líquidos; Disposiciones relativas a los circuitos
G FISICA
09
ENSEÑANZA; CRIPTOGRAFIA; PRESENTACION; PUBLICIDAD; PRECINTOS
G
DISPOSICIONES O CIRCUITOS PARA EL CONTROL DE DISPOSITIVOS DE REPRESENTACION QUE UTILIZAN MEDIOS ESTATICOS PARA PRESENTAR UNA INFORMACION VARIABLE
3
Disposiciones o circuitos de control que presentan interés únicamente para la representación utilizando medios de visualización que no sean tubos de rayos catódicos
20
para la presentación de un conjunto de varios caracteres, p. ej. de una página, componiendo el conjunto por combinación de elementos individuales colocados en una matriz
G FISICA
09
ENSEÑANZA; CRIPTOGRAFIA; PRESENTACION; PUBLICIDAD; PRECINTOS
G
DISPOSICIONES O CIRCUITOS PARA EL CONTROL DE DISPOSITIVOS DE REPRESENTACION QUE UTILIZAN MEDIOS ESTATICOS PARA PRESENTAR UNA INFORMACION VARIABLE
3
Disposiciones o circuitos de control que presentan interés únicamente para la representación utilizando medios de visualización que no sean tubos de rayos catódicos
20
para la presentación de un conjunto de varios caracteres, p. ej. de una página, componiendo el conjunto por combinación de elementos individuales colocados en una matriz
22
que utilizan fuentes de luz controladas
30
que utilizan paneles electroluminiscentes
[IPC code unknown for G09G 3/3258]
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
19
Memorias digitales en las que la información es movida por escalones, p. ej. registros de desplazamiento
28
que utilizan elementos semiconductores
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
70
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos
77
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común
78
con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales
82
para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes
822
siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio
8232
Tecnología de efecto de campo
8234
Tecnología MIS
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
02
incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie
04
el sustrato común es un cuerpo semiconductor
08
únicamente con componentes semiconductores de un solo tipo
085
comprendiendo únicamente componentes de efecto de campo
088
siendo los componentes transistores de efecto de campo de puerta aislada
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
28
con componentes que utilizan materiales orgánicos como la parte activa o que utilizan una combinación de materiales orgánicos con otros materiales como la parte activa
32
con componentes especialmente adaptados para la emisión de luz, p. ej. monitores de pantalla plana que utilizan diodos emisores de luz orgánicos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786
Transistores de película delgada
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
51
Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas
50
especialmente adaptados para la emisión de luz, p. ej. diodos emisores de luz orgánicos (OLED) o dispositivos emisores de luz poliméricos (PLED)
Solicitantes:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase Atsugi-Shi, Kanagawa 2430036, JP
Personas inventoras:
黒川義元 KUROKAWA, Yoshiyuki; JP
Datos de prioridad:
2017-00487116.01.2017JP
2017-00487216.01.2017JP
Título (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Resumen:
(EN) Provided is a novel semiconductor device. The semiconductor device has a function whereby the pixel selection intervals are changed according to the distance from a drive circuit. Specifically, if the distance between a first pixel and the drive circuit is longer than the distance between a second pixel and the drive circuit, the pulse width of the selection signals supplied to the first pixel is set so as to be greater than the pulse width of the selection signals supplied to the second pixel. As a result, it is possible accurately write image signals to pixels provided at positions far from the drive circuit while also maintaining a short selection interval for pixels provided at positions close to the drive circuit.
(FR) L’invention concerne un nouveau dispositif à semi-conducteurs. Une fonction du dispositif à semi-conducteurs permet de changer les intervalles de sélection de pixel en fonction de la distance à un circuit d'attaque. En particulier, si la distance entre un premier pixel et le circuit d'attaque est supérieure à la distance entre un second pixel et le circuit d'attaque, la largeur d'impulsion des signaux de sélection fournis au premier pixel est réglée de manière à être supérieure à la largeur d'impulsion des signaux de sélection fournis au second pixel. Par conséquent, il est possible d'écrire avec précision des signaux d'image sur des pixels disposés à des positions éloignées du circuit d'attaque tout en maintenant un intervalle de sélection court pour des pixels disposés à des positions proches du circuit d'attaque.
(JA) 新規な半導体装置の提供。 半導体装置が、画素の選択期間を、駆動回路からの距離に応じて変化させる機能を有する。具体的には、第1の画素と駆動回路の距離が、第2の画素と駆動回路の距離よりも長い場合に、第1の画素に供給される選択信号のパルス幅が、第2の画素に供給される選択信号のパルス幅よりも大きく設定される。これにより、駆動回路から近い位置に設けられた画素の選択期間を短く維持しつつ、駆動回路から遠い位置に設けられた画素への映像信号の書き込みを正確に行うことができる。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)