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1. (WO2018128078) ETCHING METHOD AND ETCHING DEVICE
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Nº de publicación: WO/2018/128078 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/045708
Fecha de publicación: 12.07.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 20.12.2017
CIP:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/3213 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
306
Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica
3065
Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
31
para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas; Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas
3205
Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
31
para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas; Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas
3205
Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas
321
Postratamiento
3213
Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
70
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos
71
Fabricación de partes constitutivas específicas de dispositivos definidos en el grupoH01L21/70137
768
Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
52
Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro
522
que comprenden interconexiones externas formadas por una estructura multicapa de capas conductoras y aislantes inseparables del cuerpo semiconductor sobre el cual han sido depositadas
532
caracterizadas por los materiales
Solicitantes:
セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP
Personas inventoras:
山内 邦裕 YAMAUCHI, Kunihiro; JP
増田 隆司 MASUDA, Takashi; JP
八尾 章史 YAO, Akifumi; JP
Mandataria/o:
小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; JP
富岡 潔 TOMIOKA, Kiyoshi; JP
山口 幸二 YAMAGUCHI, Koji; JP
Datos de prioridad:
2017-00014104.01.2017JP
Título (EN) ETCHING METHOD AND ETCHING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE ET DISPOSITIF DE GRAVURE
(JA) ドライエッチング方法及びエッチング装置
Resumen:
(EN) A dry etching method for etching a metal film on a substrate using an etching gas, said method characterized in that: the etching gas contains a β-diketone, a first additive gas and a second additive gas; the metal film includes a metal element capable of forming a complex with the β-diketone; the first additive gas is at least one type of gas selected from the group consisting of NO, N2O, O2, and O3; the second additive gas is at least one type of gas selected from the group consisting of H2O and H22; the amount of the β-diketone contained in the etching gas is 10 vol% to 90 vol% with respect to the etching gas; and the amount of the second additive gas contained in the etching gas is 0.1 vol% to 15 vol% with respect to the etching gas. This method makes it possible to improve the etching speed with respect to a metal film.
(FR) L’invention concerne un procédé de gravure sèche permettant de graver un film métallique sur un substrat à l'aide d'un gaz de gravure, ledit procédé étant caractérisé en ce que : le gaz de gravure contient une β-dicétone, un premier gaz additif et un second gaz additif ; le film métallique comprend un élément métallique capable de former un complexe avec la β-dicétone ; le premier gaz additif est au moins un type de gaz choisi dans le groupe constitué par NO, N2O, O2 et O3 ; le second gaz additif est au moins un type de gaz choisi dans le groupe constitué par H2O et H22 ; la quantité de β-dicétone dans le gaz de gravure, rapportée au gaz de gravure, est comprise entre 10 % en volume et 90 % en volume ; et la quantité du second gaz additif dans le gaz de gravure, rapportée au gaz de gravure, est comprise entre 0,1 % en volume et 15 % en volume. Ce procédé permet d'améliorer la vitesse de gravure par rapport à un film métallique.
(JA) 基板上の金属膜を、エッチングガスを用いてエッチングするドライエッチング方法であって、前記エッチングガスが、β-ジケトンと第一添加ガスと第二添加ガスを含み、前記金属膜が、前記β-ジケトンと錯体を形成可能な金属元素を含み、前記第一添加ガスが、NO、N2O、O2及びO3からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスであり、前記第二添加ガスが、H2O及びH22からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスであり、前記エッチングガスに含まれる前記β-ジケトンの量が、前記エッチングガスに対して10体積%以上90体積%以下であり、前記エッチングガスに含まれる前記第二添加ガスの量が、前記エッチングガスに対して0.1体積%以上15体積%以下であることを特徴とする。この方法により、金属膜のエッチング速度を向上させることができる。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)