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1. (WO2018125246) LARGE SCALE INTEGRATION OF HAPTIC DEVICES
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional

Nº de publicación: WO/2018/125246 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2016/069633
Fecha de publicación: 05.07.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 31.12.2016
CIP:
H01L 41/09 (2006.01) ,H01L 41/193 (2006.01) ,H01L 41/25 (2013.01) ,H01L 41/27 (2013.01) ,G06F 3/01 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
08
Elementos piezoeléctricos o electroestrictivos
09
de entrada eléctrica y salida mecánica
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
16
Selección de materiales
18
para los elementos piezoeléctricos o electroestrictivos
193
Composiciones macromoleculares
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
22
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la montaje, fabricación o tratamiento de estos elementos o de sus partes constitutivas
25
Ensamblaje de dispositivos que incluyen partes piezo-eléctricos o electroestrictivo
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
22
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la montaje, fabricación o tratamiento de estos elementos o de sus partes constitutivas
27
Fabricación multicapa de piezoeléctrico o dispositivos electroestrictivos o partes de los mismos, p. ej: apilando cuerpos piezoeléctricos y electrodos
G FISICA
06
COMPUTO; CALCULO; CONTEO
F
TRATAMIENTO DE DATOS DIGITALES ELECTRICOS
3
Disposiciones de entrada para la transferencia de datos destinados a ser procesados en una forma utilizable por el computador; Disposiciones de salida para la transferencia de datos desde la unidad de procesamiento a la unidad de salida, p. ej. disposiciones de interfaz
01
Disposiciones de entrada o disposiciones combinadas de entrada y salida para la interacción entre el usuario y el computador
Solicitantes:
FACEBOOK TECHNOLOGIES, LLC [US/US]; 1601 Willow Road Menlo Park, CA 94025, US
Personas inventoras:
KELLER, Sean Jason; US
TRUTNA, Tristan Thomas; US
Mandataria/o:
HULSE, Robert A.; US
AHN, Dohyun; US
BRANNON, Brian, G.; US
BINGHAM, Jonathan, W.; US
ZHANG, Guang; US
Datos de prioridad:
15/390,88227.12.2016US
Título (EN) LARGE SCALE INTEGRATION OF HAPTIC DEVICES
(FR) INTÉGRATION À GRANDE ÉCHELLE DE DISPOSITIFS HAPTIQUES
Resumen:
(EN) A method for large scale integration of haptic devices is described. The method comprises forming a first elastomer layer of a large scale integration (LSI) device on a substrate according to a specified manufacturing process, the first elastomer layer having a plurality of fluid based circuits, the first elastomer layer adhering to a plurality of formation specifications. The method further comprises curing the first elastomer layer. Additionally, one or more additional elastomer layers of the LSI device are formed with the first elastomer layer according to the specified manufacturing process, the one or more additional elastomer layers having a plurality of fluid based circuits, the one or more additional elastomer layers adhering to the plurality of formation specifications.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'intégration à grande échelle de dispositifs haptiques. Le procédé consiste à former une première couche élastomère d'un dispositif d'intégration à grande échelle (LSI) sur un substrat selon un procédé de fabrication spécifié, la première couche élastomère ayant une pluralité de circuits à base de fluide, la première couche élastomère adhérant à une pluralité de spécifications de formation. Le procédé consiste en outre à durcir la première couche élastomère. De plus, une ou plusieurs couches élastomères supplémentaires du dispositif LSI sont formées avec la première couche élastomère selon le processus de fabrication spécifié, lesdites couches élastomères supplémentaires ayant une pluralité de circuits à base de fluide, lesdites couches élastomères supplémentaires adhérant à la pluralité de spécifications de formation.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)