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1. (WO2018123626) NEGATIVE RESIST COMPOSITION FOR PROTRUDING ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING PROTRUDING ELECTRODE
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Nº de publicación: WO/2018/123626 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/044987
Fecha de publicación: 05.07.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 14.12.2017
CIP:
G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H05K 3/34 (2006.01)
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
004
Materiales fotosensibles
04
Cromatos
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
20
Exposición; Aparellaje a este efecto
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
50
Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo deH01L21/06-H01L21/326215
60
Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
K
CIRCUITOS IMPRESOS; ENVOLTURAS O DETALLES DE REALIZACION DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS
3
Aparatos o procedimientos para la fabricación de circuitos impresos
30
Acoplamiento de circuitos impresos con componentes eléctricos, p. ej. con una resistencia
32
Conexiones eléctricas de componentes eléctricos o de hilos a circuitos impresos
34
Conexiones soldadas
Solicitantes:
日本ゼオン株式会社 ZEON CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番2号 6-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008246, JP
Personas inventoras:
佐藤 信寛 SATO Nobuhiro; JP
阿部 信紀 ABE Nobunori; JP
Mandataria/o:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
Datos de prioridad:
2016-25197526.12.2016JP
Título (EN) NEGATIVE RESIST COMPOSITION FOR PROTRUDING ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING PROTRUDING ELECTRODE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE NÉGATIVE POUR ÉLECTRODE EN SAILLIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE ÉLECTRODE EN SAILLIE
(JA) 突起電極用ネガ型レジスト組成物及び突起電極の製造方法
Resumen:
(EN) The present invention provides a negative resist composition for a protruding electrode with a resist film having a light transmittance of 30% or less at a wavelength of 365 nm on producing a resist film with a thickness of 3.5 µm.
(FR) La présente invention concerne une composition de résine négative pour une électrode en saillie présentant un film de résine ayant une transmittance égale ou inférieure à 30 % à une longueur d'onde de 365 nm lors de la production d'un film de résine d’une épaisseur de 3,5 µm.
(JA) 厚さ3.5μmのレジスト膜を形成した場合に、波長365nmでの前記レジスト膜の光線透過率が30%以下である、突起電極用ネガ型レジスト組成物である。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)