Parte del contenido de esta aplicación no está disponible en este momento.
Si esta situación persiste, contáctenos aComentarios y contacto
1. (WO2018123347) EPITAXIAL SILICON WAFER PRODUCTION METHOD
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2018/123347 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/041680
Fecha de publicación: 05.07.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 20.11.2017
CIP:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/24 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/52 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
20
Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial
205
utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
16
Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor
22
caracterizado por la deposición de materiales inorgánicos, distintos de los materiales metálicos
24
Deposición solamente de silicio
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
16
Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor
44
caracterizado por el proceso de revestimiento
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
16
Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor
44
caracterizado por el proceso de revestimiento
52
Control o regulacción del proceso de deposición
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
20
Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
304
Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte
Solicitantes:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
Personas inventoras:
辻 雅之 TSUJI Masayuki; JP
中村 元宜 NAKAMURA Motonori; JP
Mandataria/o:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
Datos de prioridad:
2016-25106626.12.2016JP
Título (EN) EPITAXIAL SILICON WAFER PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PLAQUETTES DE SILICIUM ÉPITAXIQUES
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
Resumen:
(EN) The present invention provides an epitaxial silicon wafer production method which provides excellent productivity while being capable of preventing generation of rear-surface fogging without requiring cleaning of a process chamber each time a single-wafer type epitaxial growth treatment is performed on multiple silicon wafers. The epitaxial silicon wafer production method according to the present invention comprises a transport-in step for a silicon wafer, a silicon epitaxial layer formation step, a transport-out step for the silicon wafer, and a cleaning step, wherein: the cleaning step is performed before and after a series of growth processes conducted by the transport-in step, the silicon epitaxial layer formation step, and the transport-out step is repeated a prescribed number of times; correspondence relationship between the total number of times that replacement of nitrogen gas within a transfer chamber is performed and the maximum number of times that processing count for the series of growth processes is performed, is preliminarily determined; and the prescribed number of times the series of growth processes is to be repeated is configured to be within the maximum number of processing count.
(FR) La présente invention concerne un procédé de production de plaquettes de silicium épitaxiques qui assure une excellente productivité tout en pouvant empêcher la génération de voilage de surface arrière sans nécessiter de nettoyage d’une chambre de traitement chaque fois qu’un traitement de croissance épitaxique de type à plaquette seule est mis en œuvre sur plusieurs plaquettes de silicium. Le procédé de production de plaquettes de silicium épitaxiques selon la présente invention consiste en une étape de transport d’introduction pour une plaquette de silicium, en une étape de formation de couche épitaxique de silicium, en une étape de transport de sortie pour la plaquette de silicium, et en une étape de nettoyage : l’étape de nettoyage étant appliquée avant et après une série de processus de croissance mis en œuvre lors de l’étape de transport d’introduction, l’étape de formation de couche épitaxique de silicium, et l’étape de transport de sortie étant répétées un nombre prédéfini de fois ; une relation de correspondance entre le nombre total de fois où le remplacement d’azote gazeux dans une chambre de transfert est effectué et le nombre maximal de fois où le compte de traitement pour la série de processus de croissance est effectué, étant déterminée de manière préliminaire ; et le nombre prédéfini de fois où la série de traitements de croissance doit être répétée étant configuré pour être compris dans le nombre maximal de comptes de traitement.
(JA) プロセスチャンバのクリーニングを都度行うことなく、複数枚のシリコンウェーハに対して枚葉式のエピタキシャル成長処理を連続して行う際に、裏面クモリの発生を防止しつつ、生産性に優れたエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。 本発明によるエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハ搬入工程と、シリコンエピタキシャル層形成工程と、前記シリコンウェーハの搬出工程と、クリーニング工程と、を含み、前記クリーニング工程を、前記搬入工程、前記シリコンエピタキシャル層形成工程および前記搬出工程による一連の成長処理を所定回数繰り返し行った前後に行い、前記搬送チャンバ内の窒素ガスの総置換回数と、前記一連の成長処理における最大処理回数との対応関係を予め求め、前記所定回数を前記最大処理回数の範囲内とする。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)