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1. (WO2018123166) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME
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Nº de publicación: WO/2018/123166 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/034250
Fecha de publicación: 05.07.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 22.09.2017
CIP:
H01L 21/308 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
306
Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica
308
utilizando máscaras
Solicitantes:
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
Personas inventoras:
堀田 明伸 HORITA Akinobu; JP
島田 憲司 SHIMADA Kenji; JP
高橋 健一 TAKAHASHI Kenichi; JP
尾家 俊行 OIE Toshiyuki; JP
伊藤 彩 ITO Aya; JP
Mandataria/o:
小林 浩 KOBAYASHI Hiroshi; JP
杉山 共永 SUGIYAMA Tomohisa; JP
田村 恭子 TAMURA Kyoko; JP
鈴木 康仁 SUZUKI Yasuhito; JP
Datos de prioridad:
2016-25054526.12.2016JP
Título (EN) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME
(FR) COMPOSITION DE GRAVURE HUMIDE POUR SUBSTRAT AYANT UNE COUCHE DE SiN ET UNE COUCHE DE Si ET PROCÉDÉ DE GRAVURE HUMIDE L'UTILISANT
(JA) SiN層およびSi層を有する基板用ウェットエッチング組成物およびこれを用いたウェットエッチング方法
Resumen:
(EN) The present invention relates to a wet etching composition for a substrate having a SiN layer and a Si layer, containing 0.1-50 wt. % of a fluorine compound (A), 0.04-10 wt. % of an oxidizer (B), and water (D), and having a pH in the range of 2.0-5.0. The present invention also relates to a wet etching method for a semiconductor substrate having a SiN layer and a Si layer, using the wet etching composition. Using the composition according to the present invention enables an increase in the selectability of removal of Si relative to SiN in substrates having a SiN layer and a Si layer, while reducing corrosion of equipment and exhaust lines by volatile components produced during use, air pollution, and the environmental burden of the nitrogen in the composition.
(FR) La présente invention concerne une composition de gravure humide pour un substrat ayant une couche de SiN et une couche de Si, contenant 0,1 à 50 % en poids. d'un composé de fluor (A), 0,04 à 10 % en poids d'un oxydant (B), et de l'eau (D), et ayant un pH dans la plage de 2,0 à 5,0. La présente invention concerne également un procédé de gravure humide pour un substrat semiconducteur ayant une couche de SiN et une couche de Si, utilisant la composition de gravure humide. L'utilisation de la composition selon la présente invention permet une augmentation de la sélectivité de l'élimination du Si par rapport au SiN dans des substrats ayant une couche de SiN et une couche de Si, tout en réduisant la corrosion de l'équipement et des lignes d'échappement par des composants volatils produits pendant l'utilisation, la pollution de l'air et la charge environnementale de l'azote dans la composition.
(JA) 本発明は、フッ素化合物(A)を0.1~50質量%、酸化剤(B)を0.04~10質量%、および水(D)を含有し、pHが2.0~5.0の範囲にあるSiN層およびSi層を有する基板用ウェットエッチング組成物に関する。また本発明は、該ウェットエッチング組成物を用いる、SiN層およびSi層を有する半導体基板のウェットエッチング方法に関する。本発明の組成物を用いることにより、使用時に発生する揮発成分による装置や排気ラインの腐食および大気汚染、さらには組成物中の窒素分による環境負荷を軽減しながら、SiN層およびSi層を有する基板に対して、SiNに対するSiの除去選択性を高めることができる。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)
También publicado como:
CN108513679KR1020180087420EP3389083US20190040317