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1. (WO2018122517) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A STEP OF ETCHING THE REAR FACE OF THE GROWTH SUBSTRATE
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Nº de publicación: WO/2018/122517 Nº de la solicitud internacional: PCT/FR2017/053817
Fecha de publicación: 05.07.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 22.12.2017
CIP:
H01L 33/00 (2010.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
Solicitantes:
ALEDIA [FR/FR]; Chez Minatec, Bâtiment Haute Technologie N°52 7 Parvis Louis Neel BP 50 38040 Grenoble, FR
Personas inventoras:
POURQUIER, Eric; FR
Mandataria/o:
LE GOALLER, Christophe; FR
DUPONT, Jean-Baptiste; FR
COLOMBO, Michel; FR
Datos de prioridad:
166340927.12.2016FR
Título (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A STEP OF ETCHING THE REAR FACE OF THE GROWTH SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE COMPORTANT UNE ETAPE DE GRAVURE DE LA FACE ARRIERE DU SUBSTRAT DE CROISSANCE
Resumen:
(EN) The invention relates to a method for manufacturing an optoelectronic device (1), comprising the following steps: a) providing a growth substrate (10) made from a semiconductor material; b) forming a plurality of diodes (20) each comprising a lower face (20i); c) removing at least a portion (12; 13) of the substrate so as to free the lower face (20i); wherein: - step a) involves producing a lower part and an upper part of the substrate, the upper part (12) having a uniform thickness (eref) and a level of doping less than that of the lower part; - step c) involving removal of the lower part (11) by selective chemical etching with respect to the upper part (12).
(FR) L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (1), comportant les étapes suivantes : a) fournir un substrat (10) de croissance en un matériau semiconducteur; b) former une pluralité de diodes (20) comportant chacune une face inférieure (20i); c) supprimer au moins une portion (12; 13) du substrat de manière à rendre libre la face inférieure (20i); dans lequel : - l'étape a) comporte la réalisation d'une partie inférieure et d'une partie supérieure du substrat, la partie supérieure (12) présentant une épaisseur (eref) homogène et un niveau de dopage inférieur à celui de la partie inférieure; - l'étape c) comportant une suppression de la partie inférieure (11) par gravure chimique sélective vis-à-vis de la partie supérieure (12).
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Francés (FR)
Idioma de la solicitud: Francés (FR)