Parte del contenido de esta aplicación no está disponible en este momento.
Si esta situación persiste, contáctenos aComentarios y contacto
1. (WO2018111268) MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH MOLD PATTERNING TO CREATE PACKAGE-LEVEL COMPONENTS FOR HIGH FREQUENCY COMMUNICATION SYSTEMS
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2018/111268 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2016/066717
Fecha de publicación: 21.06.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 14.12.2016
CIP:
H01L 23/66 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 25/04 (2006.01) ,H01L 23/538 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01Q 1/22 (2006.01) ,H01Q 9/04 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
58
Disposiciones eléctricas estructurales no previstas en otra parte para dispositivos semiconductores
64
Disposiciones relativas a la impedancia
66
Adaptaciones para la alta frecuencia
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
52
Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro
522
que comprenden interconexiones externas formadas por una estructura multicapa de capas conductoras y aislantes inseparables del cuerpo semiconductor sobre el cual han sido depositadas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
03
siendo todos los dispositivos de un tipo previsto en el mismo subgrupo de los gruposH01L27/-H01L51/191
04
los dispositivos no tienen contenedores separados
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
52
Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro
538
estando la estructura de interconexión entre una pluralidad de chips semiconductores situada en el interior o encima de sustratos aislantes
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
Q
ANTENAS
1
Detalles de dispositivos asociados a las antenas
12
Soportes; Medios de montaje
22
por asociación estructural con otros equipos u objetos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
Q
ANTENAS
9
Antenas eléctricamente cortas teniendo unas dimensiones no superiores a dos veces la longitud de onda y estando constituidas por elementos radiantes conductores activos
04
Antenas resonantes
Solicitantes:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard MS: RNB-4-150 Santa Clara, California 95052, US
Personas inventoras:
EID, Feras; US
OSTER, Sasha N.; US
KAMGAING, Telesphor; US
DOGIAMIS, Georgios C.; US
ALEKSOV, Aleksandar; US
Mandataria/o:
BRASK, Justin, K.; US
Datos de prioridad:
Título (EN) MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH MOLD PATTERNING TO CREATE PACKAGE-LEVEL COMPONENTS FOR HIGH FREQUENCY COMMUNICATION SYSTEMS
(FR) DISPOSITIFS MICROÉLECTRONIQUES CONÇUS AVEC UNE FORMATION DE MOTIFS DE MOULE POUR CRÉER DES COMPOSANTS AU NIVEAU DU BOÎTIER POUR DES SYSTÈMES DE COMMUNICATION HAUTE FRÉQUENCE
Resumen:
(EN) Embodiments of the invention include a microelectronic device that includes a first substrate having radio frequency (RF) components and a second substrate that is coupled to the first substrate. The second substrate includes a first conductive layer of an antenna unit for transmitting and receiving communications at a frequency of approximately 4 GHz or higher. A mold material is disposed on the first and second substrates. The mold material includes a first region that is positioned between the first conductive layer and a second conductive layer of the antenna unit with the mold material being a dielectric material to capacitively couple the first and second conductive layers of the antenna unit.
(FR) Des modes de réalisation de l'invention concernent un dispositif microélectronique qui comprend un premier substrat ayant des composants radiofréquence (RF) et un second substrat qui est couplé au premier substrat. Le second substrat comprend une première couche conductrice d'une unité antenne pour émettre et recevoir des communications à une fréquence d'environ 4 GHz ou plus. Un matériau de moule est disposé sur les premier et second substrats. Le matériau de moule comprend une première région qui est positionnée entre la première couche conductrice et une seconde couche conductrice de l'unité d'antenne, le matériau de moule étant un matériau diélectrique pour coupler de manière capacitive les première et seconde couches conductrices de l'unité d'antenne.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)