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1. (WO2018103751) MANUFACTURING METHOD FOR FAN-OUT PACKAGING STRUCTURE
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Nº de publicación: WO/2018/103751 Nº de la solicitud internacional: PCT/CN2017/115325
Fecha de publicación: 14.06.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 08.12.2017
CIP:
H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
50
Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo deH01L21/06-H01L21/326215
56
Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
027
Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupoH01L21/18óH01L21/34232
Solicitantes:
广州兴森快捷电路科技有限公司 GUANGZHOU FASTPRINT CIRCUIT TECH CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省广州市 广州高新技术产业开发区科学城光谱中路33号 No.33, Guangpuzhong Rd., Science City, High-tech Industrial Development District, Guangzhou, Guangdong 510663, CN
深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司 SHENZHEN FASTPRINT CIRCUIT TECH CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 南山区粤海街道沙河西路与白石路交汇处深圳湾科技生态园一区2栋A座8-9层 8-9/F, Block A, Building 2, Zone 1, Shenzhen Bay Science and Technology Ecological Park, Intersection of Shahe Rd. W. and Baishi Rd., Yuehai Sub-District, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong 518057, CN
宜兴硅谷电子科技有限公司 YIXING SILICON VALLEY ELECTRONICS TECH CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省无锡市 宜兴经济开发区诸桥路 Zhuqiao Rd., Yixing Economic Development District, Wuxi, Jiangsu 214200, CN
Personas inventoras:
崔永涛 CUI, Yongtao; CN
李志东 LI, Zhidong; CN
邱醒亚 QIU, Xingya; CN
Mandataria/o:
广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; 中国广东省广州市天河区珠江东路6号4501房 (部位:自编01-03和08-12单元)(仅限办公用途) Room 4501, No. 6 Zhujiang East Road, Tianhe District, Guangzhou Guangdong 510623, CN
Datos de prioridad:
201611123239.308.12.2016CN
Título (EN) MANUFACTURING METHOD FOR FAN-OUT PACKAGING STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE D'ENCAPSULATION À SORTANCE
(ZH) 扇出型封装结构的制作方法
Resumen:
(EN) A manufacturing method for a fan-out packaging structure, comprising the following steps: providing a packaging substrate (1) and using a liquid ink to print on the packaging substrate (1) to form a substrate solder mask layer (2); performing a first exposure on the substrate solder mask layer (2), the exposure area comprising the design position area of a substrate solder mask (4) and the design position area of a substrate dam body (5); using the liquid ink to print on the substrate solder mask layer (2) to form a dam body solder mask layer (3); performing a second exposure on the dam body solder mask layer (3), the exposure area comprising the design position area of the substrate dam body (5); performing development treatment and solidifying treatment on the packaging substrate (1) to obtain the substrate solder mask (4) and the substrate dam body (5); and mounting a chip by means of the substrate dam body (5). Compared with the prior art that a dry film solder mask is used to manufacture a substrate dam body, the method uses the liquid ink to print the substrate solder mask layer (2) and the dam body solder mask layer (3) and simultaneously obtains the substrate solder mask (4) and the substrate dam body (5) by means of one development treatment and solidifying treatment; the substrate dam body (5) is not easily fall off; manufacturing cost is low; and manufacturing efficiency is high.
(FR) Un procédé de fabrication d'une structure d'encapsulation à sortance comprend les étapes suivantes consistant à : produire un substrat d'encapsulation (1) et utiliser une encre liquide pour effectuer une impression sur le substrat d'encapsulation (1) afin de former une couche d'épargne de soudure (2) sur le substrat; effectuer une première exposition sur la couche d'épargne de soudure (2) du substrat, la zone d'exposition comprenant la zone de position de conception d'une épargne de soudure (4) du substrat et la zone de position de conception d'un corps de barrage (5) du substrat; utiliser l'encre liquide pour effectuer une impression sur la couche d'épargne de soudure (2) du substrat afin de former une couche d'épargne de soudure (3) sur le corps de barrage; effectuer une seconde exposition sur la couche d'épargne de soudure (3) du corps de barrage, la zone d'exposition comprenant la zone de position de conception du corps de barrage (5) du substrat; effectuer un traitement de développement et un traitement de solidification sur le substrat d'encapsulation (1) pour obtenir l'épargne de soudure (4) du substrat et le corps de barrage du substrat (5); et monter une puce au moyen du corps de barrage (5) du substrat. Par comparaison avec l'état de la technique selon lequel une épargne de soudure sur film sec est utilisée pour fabriquer un corps de barrage de substrat, le procédé utilise l'encre liquide pour effectuer une impression sur la couche d'épargne de soudure du substrat (2) et la couche d'épargne de soudure du corps de barrage (3) et permet d'obtenir simultanément l'épargne de soudure de substrat (4) et le corps de barrage de substrat (5) au moyen d'un traitement de développement et d'un traitement de solidification; le corps de barrage de substrat (5) ne tombe pas facilement; les coûts de fabrication sont faibles; et l'efficacité de fabrication est accrue.
(ZH) 扇出型封装结构的制作方法,包括以下步骤:提供封装基板(1),使用液态油墨在封装基板(1)上进行印刷,形成基板阻焊层(2);对基板阻焊层(2)进行第一次曝光,曝光区域包括基板阻焊(4)的设计位置区域和基板坝体(5)的设计位置区域;使用液态油墨在基板阻焊层(2)上进行印刷,形成坝体阻焊层(3);对坝体阻焊层(3)进行第二次曝光,曝光区域包括基板坝体(5)的设计位置区域;对封装基板(1)进行显影处理和固化处理,得到基板阻焊(4)和基板坝体(5);利用基板坝体(5)贴装芯片。相对于现有技术采用干膜阻焊制作基板坝体,该方法采用液态油墨印刷基板阻焊层(2)和坝体阻焊层(3),并通过一次显影处理和固化处理即可同时得到基板阻焊(4)和基板坝体(5),基板坝体(5)不易脱落,制作成本低,制作效率高。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Chino (ZH)
Idioma de la solicitud: Chino (ZH)