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1. (WO2018101089) LIQUID CRYSTAL DEVICE, METHOD FOR MEASURING RESIDUAL DC VOLTAGE IN LIQUID CRYSTAL DEVICE, METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DEVICE
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Nº de publicación: WO/2018/101089 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/041529
Fecha de publicación: 07.06.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 17.11.2017
CIP:
G02F 1/13 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01) ,H01Q 21/06 (2006.01)
G FISICA
02
OPTICA
F
DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES
1
Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal
01
para el control de la intensidad, fase, polarización o del color
13
basados en cristales líquidos, p. ej. celdas de presentación individuales de cristales líquidos
G FISICA
02
OPTICA
F
DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES
1
Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal
01
para el control de la intensidad, fase, polarización o del color
13
basados en cristales líquidos, p. ej. celdas de presentación individuales de cristales líquidos
133
Disposiciones relativas a la estructura; Excitación de celdas de cristales líquidos; Disposiciones relativas a los circuitos
136
Celdas de cristales líquidos asociados estructuralmente con una capa o un sustrato semiconductores, p. ej. celdas que forman parte de un circuito integrado
1362
Celdas direccionadas por una matriz activa
1368
en los que el elemento de conmutación es un dispositivo de tres electrodos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
334
Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar
335
Transistores de efecto de campo
336
con puerta aislada
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786
Transistores de película delgada
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
Q
ANTENAS
3
Dispositivos para cambiar o hacer variar la orientación o la forma del diagrama direccional de las ondas radiadas por una antena o por un sistema de antenas
26
haciendo variar la fase relativa o la amplitud relativa de la energía de excitación entre dos o más elementos radiantes activos; haciendo variar la distribución de energía a través de una abertura radiante
30
haciendo variar la fase
34
por medios eléctricos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
Q
ANTENAS
3
Dispositivos para cambiar o hacer variar la orientación o la forma del diagrama direccional de las ondas radiadas por una antena o por un sistema de antenas
44
haciendo variar las características eléctricas o magnéticas de los dispositivos de reflexión, refracción o difracción asociados al elemento radiante
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
Q
ANTENAS
13
Cuernos o bocas de guía de onda; Antenas de ranura; Antenas guía de onda con ondas de fuga; Estructuras equivalentes que producen una radiación a lo largo del trayecto de la onda guiada
20
Antenas guía de ondas no resonante con ondas de fuga o antenas constituidas por una línea de transmisión; Estructuras equivalentes que producen una radiación a lo largo del trayecto de la onda guiada
22
Ranura longitudinal en la pared límite de la guía de onda o de una línea de transmisión
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
Q
ANTENAS
21
Sistemas o redes de antenas
06
Redes de unidades de antenas, de la misma polarización, excitadas individualmente y espaciadas entre ellas
Solicitantes:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Personas inventoras:
水崎 真伸 MIZUSAKI Masanobu; --
Mandataria/o:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
Datos de prioridad:
2016-23099429.11.2016JP
Título (EN) LIQUID CRYSTAL DEVICE, METHOD FOR MEASURING RESIDUAL DC VOLTAGE IN LIQUID CRYSTAL DEVICE, METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES, PROCÉDÉ DE MESURE DE TENSION CC RÉSIDUELLE DANS UN DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES, PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) 液晶装置、液晶装置の残留DC電圧値を求める方法、液晶装置の駆動方法、および液晶装置の製造方法
Resumen:
(EN) The present invention provides a method for measuring a residual DC voltage in a liquid crystal device, the liquid crystal device comprising an active region (R1) including a plurality of liquid crystal capacitors and a plurality of thin film transistors (TFT) and an inactive region (R2) located in a region excluding the active region and having at least one monitor capacitor (MVr1), with the plurality of liquid crystal capacitors and the at least one monitor capacitor including a liquid crystal layer. The method for measuring a residual DC voltage in a liquid crystal device comprises: a step of creating a V-I curve by measuring a current flowing in one electrode in a pair of electrodes included in the at least one monitor capacitor while applying a positive-negative symmetrical triangular wave voltage to the other electrode; a step of measuring a voltage Vmax having a maximum absolute value where a current reaches a positive local maximum value or local minimum value in the V-I curve, and a voltage Vmin having a maximum absolute value where a current reaches a negative local minimum value or local maximum value; and a step of measuring one-half of the sum of the Vmax and Vmin as the residual DC voltage.
(FR) La présente invention concerne un procédé de mesure d’une tension CC résiduelle dans un dispositif à cristaux liquides, le dispositif à cristaux liquides comprenant une région active (R1) comprenant une pluralité de condensateurs à cristaux liquides et une pluralité de transistors à couche mince (TFT) et une région inactive (R2) située dans une région excluant la région active et comportant au moins un condensateur de surveillance (MVr1), la pluralité de condensateurs à cristaux liquides et l’au moins un condensateur de surveillance comprenant une couche de cristaux liquides. Le procédé de mesure d’une tension CC résiduelle dans un dispositif à cristaux liquides comprend : une étape de génération d’une courbe V-I par mesure d’un courant circulant dans une électrode dans une paire d’électrodes comprises dans ledit au moins un condensateur de surveillance tout en appliquant une tension d’onde triangulaire symétrique positive-négative à l’autre électrode ; une étape de mesure d’une tension Vmax ayant une valeur absolue maximale à laquelle un courant atteint une valeur maximale locale positive ou une valeur minimale locale dans la courbe V-I, et une tension Vmin ayant une valeur absolue maximale à laquelle un courant atteint une valeur minimale locale négative ou une valeur maximale locale ; et une étape de mesure de la moitié de la somme de Vmax et Vmin en tant que tension CC résiduelle.
(JA) 液晶装置の残留DC電圧値を求める方法は、複数の液晶容量および複数のTFTとを有するアクティブ領域(R1)と、アクティブ領域以外の領域に位置し、少なくとも1つのモニター用容量(MVr1)を有する非アクティブ領域(R2)とを備え、複数の液晶容量および少なくとも1つのモニター用容量は、液晶層を含む、液晶装置の残留DC電圧値を求める方法であって、少なくとも1つのモニター用容量が有する一対の電極の内の一方の電極に正負対称な三角波電圧を印加しながら、他方の電極に流れる電流を測定することによって、V-I曲線を生成する工程と、V-I曲線において、電流値が正の極大値または極小値を取る最も絶対値の大きい電圧値Vmaxと、電流値が負の極小値または極大値を取る最も絶対値の大きい電圧値Vminとを求める工程と、VmaxとVminとの和の2分の1を残留DC電圧値として求める工程とを包含する。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)