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1. (WO2018047257) SEMICONDUCTOR DEVICE
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

Nº de publicación: WO/2018/047257 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2016/076331
Fecha de publicación: 15.03.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 07.09.2016
CIP:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01R 11/01 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
03
siendo todos los dispositivos de un tipo previsto en el mismo subgrupo de los gruposH01L27/-H01L51/191
04
los dispositivos no tienen contenedores separados
07
siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupoH01L29/107
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
48
Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
18
siendo los dispositivos de tipos previstos en varios subgrupos diferentes del mismo grupo principal de los gruposH01L27/-H01L51/220
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
R
CONEXIONES CONDUCTORAS DE ELECTRICIDAD; ASOCIACION ESTRUCTURAL DE UNA PLURALIDAD DE ELEMENTOS DE CONEXION ELECTRICA AISLADOS UNOS DE OTROS; DISPOSITIVOS DE ACOPLAMIENTO; COLECTORES DE CORRIENTE
11
Elementos individuales de conexión que aseguran varios puntos de conexión espaciados para órganos conductores que están o pueden estar interconectados de esta forma, p. ej. piezas terminales para hilos o cables, soportadas por el hilo o cable, y que tienen medios para facilitar la conexión eléctrica con cualquier hilo, borne, u órgano conductor, grupos de bornes
01
caracterizados por la forma o por la disposición de la interconexión entre sus emplazamientos de conexión
Solicitantes:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Personas inventoras:
藤田 重人 FUJITA, Shigeto; JP
稲口 隆 INAGUCHI, Takashi; JP
Mandataria/o:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
Datos de prioridad:
Título (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Resumen:
(EN) This semiconductor device is provided with an upper electrode which is provided above a lower electrode, a semiconductor chip which is provided between the lower electrode and the upper electrode, a pressure pad which is provided between the lower electrode and the upper electrode overlapping the semiconductor chip, and a spiral conductor which is provided between the lower electrode and the upper electrode overlapping the semiconductor chip and the pressure pad. The spiral conductor comprises an upper spiral conductor and a lower spiral conductor which contacts the bottom end of the upper spiral conductor and faces the upper spiral conductor. By forming a groove in the upper spiral conductor and the lower spiral conductor, the direction of current flowing through the upper spiral conductor and the direction of current flowing through the lower spiral conductor can be made to coincide in planar view.
(FR) Le dispositif à semi-conducteurs selon l’invention comporte: une électrode supérieure située au-dessus d'une électrode inférieure; une puce semiconductrice située entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure; des tampons de pression situés sur la puce semiconductrice, entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure; et un corps conducteur en spirale situé, avec la puce semiconductrice et les tampons de pression, entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure. Le corps conducteur en spirale possède une partie corps conducteur en spirale côté supérieur, et une partie corps conducteur en spirale côté inférieur faisant face à la partie corps conducteur en spirale côté supérieur et connectée à cette partie corps conducteur en spirale côté supérieur au niveau de la partie inférieure de celle-ci. Grâce à la formation d'une rainure dans la partie corps conducteur en spirale côté supérieur et dans la partie corps conducteur en spirale côté inférieure, dans une vue en plan, la direction du courant à l’intérieur de la partie corps conducteur en spirale côté supérieur coïncide avec la direction du courant à l’intérieur de la partie corps conducteur en spirale côté inférieur.
(JA) 下電極の上方に設けられた上電極と、該下電極と該上電極の間に設けられた半導体チップと、該下電極と該上電極の間に該半導体チップと重ねて設けられたプレッシャパッドと、該下電極と該上電極の間に該半導体チップおよび該プレッシャパッドと重ねて設けられたスパイラル導体と、を備え、該スパイラル導体は、上側スパイラル導体と、該上側スパイラル導体の下端に接し該上側スパイラル導体に対向する下側スパイラル導体とを有し、該上側スパイラル導体と該下側スパイラル導体に溝を形成することで、平面視で、該上側スパイラル導体を流れる電流の向きと、該下側スパイラル導体を流れる電流の向きを一致させた。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)