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1. (WO2017169314) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
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Nº de publicación: WO/2017/169314 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/006448
Fecha de publicación: 05.10.2017 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 22.02.2017
CIP:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 27/14 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
14
con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones
144
Dispositivos controlados por radiación
146
Estructuras de captadores de imágenes
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
14
con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones
H ELECTRICIDAD
04
TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS
N
TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION
5
Detalles de los sistemas de televisión
30
Transformación de información luminosa o análoga en información eléctrica
335
que utiliza sensores de imagen de estado sólido [SIES]
369
arquitectura SEIS; Circuitos asociados a los mismos
Solicitantes:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Personas inventoras:
澁田 宏和 SHIBUTA Hirokazu; JP
Mandataria/o:
渡邊 薫 WATANABE Kaoru; JP
Datos de prioridad:
2016-07344531.03.2016JP
Título (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE EN SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、及び電子装置
Resumen:
(EN) To provide a backside-illuminated solid-state imaging element which is capable of improving image quality. Provided is a backside-illuminated solid-state imaging element which is provided at least with a semiconductor substrate, an organic photoelectric conversion film that is formed above one of the front and back surfaces of the semiconductor substrate, and an optical waveguide that is formed between the semiconductor substrate and the organic photoelectric conversion film.
(FR) L'invention vise à produire un élément d'imagerie en semiconducteur éclairé par l'arrière qui est capable d'améliorer la qualité d'image. L'invention concerne un élément d'imagerie en semiconducteur éclairé par l'arrière qui comprend au moins un substrat en semiconducteur, un film de conversion photoélectrique organique qui est formé au-dessus de l'une des surfaces avant et arrière du substrat en semiconducteur, et un guide d'ondes optique qui est formé entre le substrat en semiconducteur et le film de conversion photoélectrique organique.
(JA) 画質を向上させることができる裏面照射型の固体撮像素子を提供すること。 半導体基板と、該半導体基板の表裏面のうちの一方の面側に形成されている有機光電変換膜と、該半導体基板と該有機光電変換膜との間に形成されている光導波路と、を少なくとも備える、裏面照射型の固体撮像素子を提供する。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)