Colecciones nacionales e internacionales de patentes
Parte del contenido de esta solicitud no está disponible en este momento.
Si el problema persiste, sírvase contactarnos en la direcciónComentarios y contacto
1. (WO2017111820) REDUCED HEIGHT LINER FOR INTERCONNECTS
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional

Nº de publicación: WO/2017/111820 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2015/000378
Fecha de publicación: 29.06.2017 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 26.12.2015
CIP:
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
70
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos
71
Fabricación de partes constitutivas específicas de dispositivos definidos en el grupoH01L21/70137
768
Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
50
Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo deH01L21/06-H01L21/326215
60
Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento
Solicitantes:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Personas inventoras:
CHOWDHURY, Akm Shaestagir; US
GRIGGIO, Flavio; US
Mandataria/o:
RICHARDS, II, E.E. "Jack"; US
Datos de prioridad:
Título (EN) REDUCED HEIGHT LINER FOR INTERCONNECTS
(FR) REVÊTEMENT À HAUTEUR RÉDUITE POUR DES INTERCONNEXIONS
Resumen:
(EN) An embodiment includes a metal interconnect structure, comprising: a dielectric layer on a substrate; an opening, in the dielectric layer, (a) having sidewalls and an aspect ratio of at least 5:1 (height: width), and (b) exposing a conductive region of at least one of the substrate and an additional interconnect structure; a conformal thin film layer on the sidewalls; and a polycrystalline metal within the opening and on the thin film layer; wherein the thin film layer forms an adhesive liner that extends only partially up the sidewalls leaving upper portions of the sidewalls uncovered by the liner. Other embodiments are described herein.
(FR) La présente invention concerne, dans un mode de réalisation, une structure d'interconnexion métallique, comprenant : une couche diélectrique sur un substrat ; une ouverture, dans la couche diélectrique, (a) ayant des parois latérales et un rapport d'aspect d'au moins 5:1 (hauteur:largeur), et (b) exposant une région conductrice d'au moins l'un du substrat et d'une structure d'interconnexion supplémentaire ; une couche de film mince conforme sur les parois latérales ; et un métal polycristallin dans l'ouverture et sur la couche de film mince ; la couche de film mince formant un revêtement adhésif qui s'étend seulement partiellement vers le haut des parois latérales, laissant des parties supérieures des parois latérales découvertes par le revêtement. L'invention porte également sur d'autres modes de réalisation.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)