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1. (WO2017051051) TRANSISTOR TIPO JFET Y MÉTODO DE OBTENCIÓN DEL MISMO

Pub. No.:    WO/2017/051051    International Application No.:    PCT/ES2016/070662
Publication Date: Fri Mar 31 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Sep 23 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/778
Applicants: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTÍFICAS (CSIC)
Inventors: ULLÁN COMES, Miguel
FERNÉNDEZ MARTÍNEZ, Pablo
HIDALGO VILLENA, Salvador
FLORES GUAL, David
GIULIO VILLANI, Enrico
Title: TRANSISTOR TIPO JFET Y MÉTODO DE OBTENCIÓN DEL MISMO
Abstract:
Se detalla un dispositivo semiconductor correspondiente a un transistor tipo JFET que presenta una disposición multicapa de varios materiales, dando como resulta de esa disposición un dispositivo transistor tipo JFETvertical; es decir que la corriente fluye desde la parte superior del chip (fuente) hacia la parte inferior (drenador), atravesando todo el bloque de silicio, mientras que en un segundo aspecto de la invención se tiene un método para la fabricación del dispositivo JFET del primer aspecto; método que hace uso de la técnica de procesamiento DRIE (Deep reactive-ion etching).