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1. (WO2017002854) GAS SENSOR AND METHOD FOR USING SAME
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional

Nº de publicación: WO/2017/002854 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2016/069267
Fecha de publicación: 05.01.2017 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 29.06.2016
CIP:
G01N 27/00 (2006.01)
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
N
INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS
27
Investigación o análisis de materiales mediante el empleo de medios eléctricos, electroquímicos o magnéticos
Solicitantes:
富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP
Personas inventoras:
原田 直樹 HARADA, Naoki; JP
佐藤 信太郎 SATO, Shintaro; JP
林 賢二郎 HAYASHI, Kenjiro; JP
山口 淳一 YAMAGUCHI, Junichi; JP
Mandataria/o:
國分 孝悦 KOKUBUN, Takayoshi; JP
Datos de prioridad:
2015-13122930.06.2015JP
Título (EN) GAS SENSOR AND METHOD FOR USING SAME
(FR) CAPTEUR DE GAZ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ガスセンサ及びその使用方法
Resumen:
(EN) The present invention includes: semiconductor layers (101-103); a graphene film (105) that is provided above the semiconductor layers (101-103), at least a section thereof coming into contact with a gas; and a barrier film (104) between the semiconductor layers (101-103) and the graphene film (105).
(FR) La présente invention comprend : des couches à semi-conducteur (101-103) ; un film de graphène (105) qui est prévu au-dessus des couches à semi-conducteur (101-103), au moins une section de celui-ci venant en contact avec un gaz ; et un film barrière (104) entre les couches à semi-conducteur (101-103) et le film de graphène (105).
(JA) 半導体層(101~103)と、半導体層(101~103)上方に設けられ、少なくとも一部が気体に接するグラフェン膜(105)と、半導体層(101~103)とグラフェン膜(105)との間のバリア膜(104)と、が含まれる。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)
También publicado como:
CN107709979US20180136157