Colecciones nacionales e internacionales de patentes
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1. (WO2017002445) SPUTTERING TARGET ASSEMBLY
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional

Nº de publicación: WO/2017/002445 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2016/063552
Fecha de publicación: 05.01.2017 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 02.05.2016
CIP:
C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/203 (2006.01)
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
14
Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento
22
caracterizado por el proceso de revestimiento
34
Pulverización catódica
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
20
Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial
203
utilizando un depósito físico, p. ej. depósito en vacío, pulverización
Solicitantes:
株式会社コベルコ科研 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. [JP/JP]; 兵庫県神戸市中央区脇浜海岸通1丁目5番1号 1-5-1, Wakinohama-kaigan-dori, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6510073, JP
Personas inventoras:
高木 勝寿 TAKAGI, Katsutoshi; --
金丸 守賀 KANAMARU, Moriyoshi; --
廣瀬 研太 HIROSE, Kenta; --
岩崎 祐紀 IWASAKI, Yuki; --
Mandataria/o:
鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
Datos de prioridad:
2015-13096930.06.2015JP
Título (EN) SPUTTERING TARGET ASSEMBLY
(FR) ENSEMBLE DE CIBLES DE PULVÉRISATION
(JA) スパッタリングターゲット組立体
Resumen:
(EN) Provided is a sputtering target assembly that includes a plurality of mounting sections which are disposed on a backing plate, which are disposed with a gap therebetween, and on each of which one or more sputtering target members are disposed via a bonding material. The sputtering target assembly has a Ni base material coating in gaps between the adjacent mounting sections.
(FR) L'invention concerne un ensemble de cibles de pulvérisation qui comprend une pluralité de sections de montage qui sont disposées sur une plaque de support, qui sont ménagées en laissant un espace entre elles, et sur chacune desquelles un ou plusieurs éléments formant cibles de pulvérisation sont disposés via un matériau de liaison. L'ensemble de cibles de pulvérisation comporte un revêtement dans une matière à base de Ni dans les espaces entre les sections de montage adjacentes.
(JA) バッキングプレート上に配置された複数の載置部であって、互いに間隔を空けて配置され、それぞれの上にボンディング材を介して、1つ以上のスパッタリングターゲット部材が配置された複数の載置部を含み、隣り合う前記載置部の間の隙間部にNi基材料のコーティングを有するスパッタリングターゲット組立体である。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)
También publicado como:
CN107636194KR1020180012310