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1. (WO2017002196) MATCHING BOX AND MATCHING METHOD
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional

Nº de publicación: WO/2017/002196 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2015/068820
Fecha de publicación: 05.01.2017 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 30.06.2015
CIP:
H05H 1/46 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H03H 7/40 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
H
TECNICA DEL PLASMA; PRODUCCION DE PARTICULAS ACELERADAS ELECTRICAMENTE CARGADAS O DE NEUTRONES; PRODUCCION O ACELERACION DE HACES MOLECULARES O ATOMICOS NEUTROS
1
Producción del plasma; Manipulación del plasma
24
Producción del plasma
46
utilizando campos electromagnéticos aplicados, p. ej. energía a alta frecuencia o en forma de microondas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
306
Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica
3065
Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
31
para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas; Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
H
REDES DE IMPEDANCIA, p. ej. CIRCUITOS RESONANTES; RESONADORES
7
Redes de varios accesos que tienen como componentes únicamente elementos eléctricos pasivos
38
Redes de adaptación de impedancia
40
Adaptación automática de la impedancia de la carga a la impedancia de la fuente
Solicitantes:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都港区西新橋二丁目15番12号 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039, JP
Personas inventoras:
藤本 直也 FUJIMOTO Naoya; JP
加藤 規一 KATO Norikazu; JP
押田 善之 OSHIDA Yoshiyuki; JP
Mandataria/o:
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; 東京都中央区日本橋茅場町二丁目13番11号 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
Datos de prioridad:
Título (EN) MATCHING BOX AND MATCHING METHOD
(FR) BOÎTE D'ADAPTATION ET PROCÉDÉ D'ADAPTATION
(JA) 整合器及び整合方法
Resumen:
(EN) Provided is a matching box comprising the following: a directional coupler that detects traveling waves and reflected waves; a matching circuit having a first variable capacitance capacitor, a second variable capacitance capacitor, and inductance; and a control unit that calculates a reflection coefficient on the basis of the traveling waves and the reflected waves, and controls a capacitance value VC1 of the first variable capacitance capacitor and a capacitance value VC2 of the second variable capacitance capacitor, wherein the control unit changes VC2 if the distance between a matching circle drawn by the trajectory of the reflection coefficient passing through a matching point on a Smith chart, and the calculated reflection coefficient is greater than a prescribed value, and changes VC1 if such distance is set to be no greater than the prescribed value and when the value of such distance becomes no greater than the prescribed value, thereby reducing the reflection coefficient.
(FR) L'invention concerne une boîte d'adaptation comprenant les éléments suivants : un coupleur directionnel qui détecte des ondes progressives et des ondes réfléchies; un circuit d'adaptation ayant un premier condensateur à capacitance variable, un second condensateur à capacitance variable, et une inductance; et une unité de commande qui calcule un coefficient de réflexion sur la base des ondes progressives et des ondes réfléchies, et commande une valeur de capacité VC1 du premier condensateur à capacitance variable et une valeur de capacité VC2 du second condensateur à capacitance variable, laquelle unité de commande modifie VC2 si la distance entre un cercle d'adaptation tracé par la trajectoire du coefficient de réflexion passant par un point d'adaptation sur un diagramme de Smith, et lequel coefficient de réflexion calculé est supérieur à une valeur prescrite, et change VC1 si une telle distance est réglée pour ne pas être supérieure à la valeur prescrite et lorsque la valeur de ladite distance est inférieure ou égale à la valeur prescrite, ce qui permet de réduire le coefficient de réflexion.
(JA) 進行波と反射波とを検出する方向性結合器と、第1の可変容量コンデンサと第2の可変容量コンデンサとインダクタンスとを有する整合回路と、進行波と反射波とに基づき反射係数を算出し第1の可変容量コンデンサの容量値VC1と前記第2の可変容量コンデンサの容量値VC2とを制御する制御部と、を備える整合器において、制御部は、スミスチャート上で整合点を通過する反射係数の軌跡が描く整合円と、算出された反射係数との間の距離が所定値より大きい場合は、VC2を変更して、前記距離を前記所定値以内とし、前記距離が前記所定値以内になると、VC1を変更して反射係数を小さくする。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)
También publicado como:
KR1020180010239JPWO2017002196US20180191324