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1. (WO2015121516) SENSOR DE IONES BASADO EN MEDIDA DIFERENCIAL Y MÉTODO DE FABRICACIÓN
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional

Nº de publicación: WO/2015/121516 Nº de la solicitud internacional: PCT/ES2015/070063
Fecha de publicación: 20.08.2015 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 29.01.2015
CIP:
G01N 27/414 (2006.01)
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
N
INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS
27
Investigación o análisis de materiales mediante el empleo de medios eléctricos, electroquímicos o magnéticos
26
investigando variables electroquímicas; utilizando la electrólisis o la electroforesis
403
Conjuntos de células y de electrodos
414
Transistores de efecto de campo sensibles a los iones o a los agentes químicos, es decir ISFETS o CHEMFETS
Solicitantes:
CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTÍFICAS (CSIC) [ES/ES]; C/ Serrano, 117 E-28006 Madrid, ES
Personas inventoras:
BALDI COLL, Antoni; ES
DOMÍNGUEZ HORNA, Carlos; ES
JIMÉNEZ JORQUERA, Cecilia; ES
FERNÁNDEZ SÁNCHEZ, César; ES
LLOBERA ADAN, Andreu; ES
MERLOS DOMINGO, Ángel; ES
CADARSO BUSTO, Alfredo; ES
BURDALLO BAUTISTA, Isabel; ES
VERA GRAS, Ferrán; ES
Mandataria/o:
PONS ARIÑO, Ángel; ES
Datos de prioridad:
P20143018011.02.2014ES
Título (EN) ION SENSOR BASED ON DIFFERENTIAL MEASUREMENT, AND PRODUCTION METHOD
(ES) SENSOR DE IONES BASADO EN MEDIDA DIFERENCIAL Y MÉTODO DE FABRICACIÓN
(FR) CAPTEUR D'IONS FONDÉ SUR UNE MESURE DIFFÉRENTIELLE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Resumen:
(EN) The invention relates to an ion sensor based on differential measurement, comprising an ISFET/REFET pair, wherein the REFET is defined by a structure formed by an ISFET covered by a micro-reservoir containing an internal reference solution. The sensor comprises: a first and a second ion-selective field effect transistor; an electrode; a substrate on the surface of which the two transistors, connection tracks and the electrode are integrated; and a structure adhered to the first ion-selective field effect transistor, creating a micro-reservoir on the gate of said first transistor, said micro-reservoir having a micro-channel connecting the micro-reservoir with the exterior, and said micro-reservoir being filled with the reference solution.
(ES) Sensor de iones basado en medida diferencial que comprende un par ISFET-REFET en que el REFET viene definido por una estructura compuesta de un ISFET cubierto por un microdepósito donde está contenida una solución interna de referencia. El sensor comprende un primer y un segundo transistor de efecto de campo selectivo a iones, un electrodo, un sustrato sobre cuya superficie se integran los dos transistores, unas pistas de conexión y el electrodo y una estructura adherida sobre el primer transistor de efecto de campo selectivo a iones que crea un microdepósito sobre la puerta de dicho primer transistor, teniendo el microdepósito un microcanal que conecta el microdepósito con el exterior y estando el microdepósito lleno de la solución de referencia.
(FR) L'invention concerne un capteur d'ions fondé sur une mesure différentielle qui comprend une paire de transistors ISFET-REFET dans laquelle le REFET est défini par une structure composée d'un ISFET recouvert par un microdépôt où est contenue une solution interne de référence. Le capteur comprend un premier et un deuxième transistor à effet de champ sélectif d'ions, une électrode, un substrat sur la surface duquel son intégrés les deux transistors, des pistes de connexion et l'électrode et une structure collée sur le premier transistor à effet de champ sélectif d'ions qui crée un microdépôt sur la porte du premier transistor, le microdépôt présentant un microcanal qui le relie à l'extérieur et étant rempli de la solution de référence.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Español (ES)
Idioma de la solicitud: Español (ES)
También publicado como:
CA2938155CN106104265KR1020160119096EP3106865US20170010237MX2016010017
JP2017505443IN201617025892