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1. (WO2015114193) MICRODOSIMETRO BASADO EN ESTRUCTURAS 3D DE SEMICONDUCTOR, PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE DICHO MICRODOSIMETRO Y USO DE DICHO MICRODOSIMETRO
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional

Nº de publicación: WO/2015/114193 Nº de la solicitud internacional: PCT/ES2015/070056
Fecha de publicación: 06.08.2015 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 28.01.2015
CIP:
B81B 7/04 (2006.01) ,B81C 1/00 (2006.01) ,H01L 31/115 (2006.01) ,G01T 1/02 (2006.01)
B TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES
81
TECNOLOGIA DE LAS MICROESTRUCTURAS
B
DISPOSITIVOS O SISTEMAS DE MICROESTRUCTURA, p. ej. DISPOSITIVOS MICROMECANICOS
7
Sistemas de microestructura
04
Redes o matrices de dispositivos de microestructura semejantes
B TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES
81
TECNOLOGIA DE LAS MICROESTRUCTURAS
C
PROCEDIMIENTOS O APARATOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA LA FABRICACION O EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS O SISTEMAS DE MICROESTRUCTURA
1
Fabricación o tratamiento de dispositivos o de sistemas en o sobre un substrato
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
08
en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias
10
caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores
115
Dispositivos sensibles a la radiación de ondas muy cortas, p. ej. rayos X, rayos gamma o radiación corpuscular
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
T
MEDIDA DE RADIACIONES NUCLEARES O DE RAYOS X
1
Medida de los rayos X, rayos gamma, radiaciones corpusculares o de las radiaciones cósmicas
02
Dosímetros
Solicitantes:
CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTÍFICAS (CSIC) [ES/ES]; C/ Serrano, 117 E-28006 Madrid, ES
UNIVERSIDADE DE SANTIAGO DE COMPOSTELA [ES/ES]; C/ Pazo San Xerome-Praza Do Obradorio, s/n E-15782 Santiago de Compostela (A Coruña), ES
Personas inventoras:
GUARDIOLA SALMERÓN, Consuelo; ES
PELLEGRINI, Giulio; ES
LOZANO FANTOBA, Manuel; ES
FLETA CORRAL, María Celeste; ES
QUIRION, David; ES
GÓMEZ RODRIGUEZ, Faustino; ES
Mandataria/o:
PONS ARIÑO, Ángel; ES
Datos de prioridad:
P20143009928.01.2014ES
Título (EN) MICRODOSIMETER BASED ON 3D SEMICONDUCTOR STRUCTURES, METHOD FOR PRODUCING SAID MICRODOSIMETER, AND USE OF SAID MICRODOSIMETER
(ES) MICRODOSIMETRO BASADO EN ESTRUCTURAS 3D DE SEMICONDUCTOR, PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE DICHO MICRODOSIMETRO Y USO DE DICHO MICRODOSIMETRO
(FR) MICRODOSIMÈTRE BASÉ SUR DES STRUCTURES 3D À SEMICONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT MICRODOSIMÈTRE ET UTILISATION DE CE DERNIER
Resumen:
(EN) The invention relates to a microdosimeter formed by cells forming an array, where each cell contains a radiation-sensitive volume formed over semiconductors by means of three-dimensional processes defined by the components of a p-n junction so as to ensure the accurate delimitation, to a very small number of μm, of a sensitive volume similar to the mean volume of the cell nucleus, of a diameter approximately equal to, or less than, 10 μm, where the substrate where the cell is produced is a semiconductor wafer and the cell has a diameter of between 5 and 150 μm and a depth of between 1 and 300 μm. The invention also relates to different methods for producing different configurations that said microdosimeters may present, and to the use thereof for detecting radiation in different fields including medical and aerospace applications.
(ES) La invención comprende un microdosímetro formado por celdas que forman una matriz, donde en el interior de cada celda hay un volumen sensible a la radiación, que se fabrica sobre semiconductores mediante procesos tridimensionales que definen los componentes de una unión PN para asegurar que se delimita con precisión de pocas μιη un volumen sensible similar al volumen medio del núcleo celular, de aproximadamente igual o menor a 10 μm de diámetro, donde el sustrato donde está fabricada la celda es una oblea de semiconductor y la celda tiene un diámetro de entre 5 y 150 μm y una profundidad de entre 1 y 300 μm.. Además la invención indica procedimientos de fabricación de diferentes configuraciones que pueden presentar estos microdosímetros, y su uso para detección de radiación en diferentes campos incluyendo aplicaciones médicas y aeroespaciales.
(FR) La présente invention comprend un microdosimètre formé de cellules qui constituent une matrice et qui comprennent à l'intérieur de chaque cellule, un volume sensible aux radiations, ces cellules étant fabriquées sur des semiconducteurs au moyen de procédés tridimensionnels qui définissent les constituants d'une liaison PN pour assurer qu'on délimite avec une précision de quelques μm, un volume sensible similaire au volume moyen du noyau de la cellule, avec un diamètre approximatif égal ou inférieur à 10 μm, le substrat sur lequel est fabriqué la cellule étant une tranche de semiconducteur et la cellule ayant un diamètre compris entre 5 et 150 μm et une profondeur comprise entre 1 et 300 μm. L'invention porte également sur des procédés de fabrication de différentes configurations que peuvent présenter ces microdosimètres et sur leur utilisation pour détecter des radiations dans différents domaines incluant des applications médicales et des applications liées à l'aérospatiale.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Español (ES)
Idioma de la solicitud: Español (ES)