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1. (WO2015045164) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

Nº de publicación: WO/2015/045164 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2013/076572
Fecha de publicación: 02.04.2015 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 30.09.2013
CIP:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/50 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
31
para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas; Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
16
Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor
44
caracterizado por el proceso de revestimiento
455
caracterizado por el proceso utilizado para introducir gases en la cámara de reacción o para modificar las corrientes de gas en la cámara a reacción
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
16
Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor
44
caracterizado por el proceso de revestimiento
50
por medio de descargas eléctricas
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
H
TECNICA DEL PLASMA; PRODUCCION DE PARTICULAS ACELERADAS ELECTRICAMENTE CARGADAS O DE NEUTRONES; PRODUCCION O ACELERACION DE HACES MOLECULARES O ATOMICOS NEUTROS
1
Producción del plasma; Manipulación del plasma
24
Producción del plasma
46
utilizando campos electromagnéticos aplicados, p. ej. energía a alta frecuencia o en forma de microondas
Solicitantes:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP
Personas inventoras:
廣地 志有 HIROCHI, Yukitomo; JP
豊田 一行 TOYODA, Kazuyuki; JP
盛満 和広 MORIMITSU, Kazuhiro; JP
佐藤 武敏 SATO, Taketoshi; JP
山本 哲夫 YAMAMOTO, Tetsuo; JP
Datos de prioridad:
Título (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
Resumen:
(EN) The present invention is a substrate processing device which alternately supplies a first processing gas and a plasmatized second processing gas to a processing container so as to process a substrate, and is provided with: a first gas supply system which supplies a first processing gas; a second gas supply system which supplies a second processing gas; a plasma unit which is placed upstream of a processing container, and which plasmatizes at least the second processing gas; and a control unit which controls the first gas supply system and the second gas supply system so that the first processing gas and the second processing gas are supplied alternately, and which controls the plasma unit so as to perform application of power necessary for plasmatization of the second processing gas from prior to starting of the supply of the second processing gas.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif de traitement de substrat qui fournit de manière alternée un premier gaz de traitement et un second gaz de traitement transformé en plasma à un conteneur de traitement afin de traiter un substrat, et comporte : un premier système de fourniture de gaz qui fournit un premier gaz de traitement ; un second système de fourniture de gaz qui fournit un second gaz de traitement ; une unité de plasma qui est placée en amont d’un conteneur de traitement, et qui transforme en plasma au moins le second gaz de traitement ; et une unité de commande qui commande le premier système de fourniture de gaz et le second système de fourniture de gaz de telle sorte que le premier gaz de traitement et le second gaz de traitement sont fournis de manière alternée, et qui commande l’unité de plasma afin de réaliser une application de puissance nécessaire pour transformer en plasma le second gaz de traitement avant le début de la fourniture du second gaz de traitement.
(JA) 第1の処理ガスと、プラズマ化された第2の処理ガスとを交互に処理容器に供給して基板を処理する基板処理装置であって、前記第1の処理ガスを供給する第1のガス供給系と、前記第2の処理ガスを供給する第2のガス供給系と、前記処理容器の上流に配置され、少なくとも前記第2の処理ガスをプラズマ化するプラズマユニットと、前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとが交互に供給されるように前記第1のガス供給系と前記第2のガス供給系を制御すると共に、前記第2の処理ガスの供給が開始される前から前記第2の処理ガスのプラズマ化に必要な電力印加を実行するように前記プラズマユニットを制御する制御部と、を備える。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)