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1. (WO2015043957) MIRROR BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY WITHOUT EXPANSION UNDER EUV RADIATION
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

Nº de publicación: WO/2015/043957 Nº de la solicitud internacional: PCT/EP2014/069302
Fecha de publicación: 02.04.2015 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 10.09.2014
CIP:
C03C 3/06 (2006.01) ,C03B 19/14 (2006.01) ,G02B 5/08 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
[IPC code unknown for C03C 3/06][IPC code unknown for C03B 19/14][IPC code unknown for G02B 5/08][IPC code unknown for G03F 7/20]
Solicitantes:
HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG [DE/DE]; Quarzstraße 8 63450 Hanau, DE
Personas inventoras:
BECKER, Klaus; DE
THOMAS, Stephan; DE
Datos de prioridad:
10 2013 219 808.630.09.2013DE
Título (EN) MIRROR BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY WITHOUT EXPANSION UNDER EUV RADIATION
(FR) POLI-MIROIR POUR LITHOGRAPHIE EUV SANS EXPANSION DUE AU RAYONNEMENT EUV
(DE) SPIEGELBLANK FÜR EUV LITHOGRAPHIE OHNE AUSDEHNUNG UNTER EUV-BESTRAHLUNG
Resumen:
(EN) The present invention relates to a substrate for an EUV mirror which has a zero crossing temperature profile that is different from the statistical distribution. The invention further relates to a method for producing a substrate for an EUV mirror and to the use thereof, the zero crossing temperature profile in the substrate being adapted to the operating temperature of the mirror. The invention also relates to a lithography method using said substrate.
(FR) La présente invention concerne un substrat destiné à un miroir EUV dont la courbe de température de passage par zéro s'écarte de la courbe de distribution statistique. En outre, l'invention concerne un procédé de production d'un substrat destiné à un miroir EUV et son utilisation, la courbe de température de passage par zéro dans le substrat étant ajustée à la température de fonctionnement du miroir, ainsi qu'un procédé de lithographie utilisant un tel substrat.
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Substrat für einen EUV-Spiegel, das einen von der statistischen Verteilung abweichenden Verlauf der Nulldurchgangstemperatur aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Substrates für einen EUV-Spiegel und dessen Verwendung, wobei der Verlauf der Nulldurchgangstemperatur im Substrat der Betriebstemperatur des Spiegels angepasst ist sowie ein Lithographieverfahren unter Verwendung eines solchen Substrates.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Alemán (DE)
Idioma de la solicitud: Alemán (DE)