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1. (WO2014190613) QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE FOR SAME
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

Nº de publicación: WO/2014/190613 Nº de la solicitud internacional: PCT/CN2013/080827
Fecha de publicación: 04.12.2014 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 05.08.2013
CIP:
H01L 25/13 (2006.01) ,H01L 33/06 (2010.01) ,G09F 9/33 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
03
siendo todos los dispositivos de un tipo previsto en el mismo subgrupo de los gruposH01L27/-H01L51/191
10
los dispositivos tienen contenedores separados
13
siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupoH01L33/107
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
02
caracterizados por los cuerpos de semiconductores
04
con una estructura de efecto cuántico o super-red, p. ej. unión túnel
06
dentro de la región electroluminiscente, p. ej. estructura de confinamiento o barrera túnel
G FISICA
09
ENSEÑANZA; CRIPTOGRAFIA; PRESENTACION; PUBLICIDAD; PRECINTOS
F
PRESENTACION; PUBLICIDAD; CARTELES; ETIQUETAS O PLACAS DE IDENTIFICACION; PRECINTOS
9
Dispositivos de representación de información variable, en los que la información se forma sobre un soporte, por selección o combinación de elementos individuales
30
en los que el o los caracteres deseados se forman por una combinación de elementos individuales
33
de semiconductores, p. ej. de diodos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
Solicitantes:
北京京东方光电科技有限公司 BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 经济技术开发区西环中路8号 No.8 Xihuanzhonglu, BDA Beijing 100176, CN
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Personas inventoras:
蔡佩芝 CAI, Peizhi; CN
Mandataria/o:
北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES; 中国北京市海淀区彩和坊路10号1号楼10层 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Datos de prioridad:
201310201938.527.05.2013CN
Título (EN) QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE FOR SAME
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINT QUANTIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE ASSOCIÉS
(ZH) 量子点发光二极管及其制备方法、显示器件
Resumen:
(EN) A quantum dot light-emitting diode, comprising: a first electrode (20) and a second electrode (30), a quantum dot light-emitting layer (40) disposed between the two electrodes, the quantum dot light-emitting layer (40) comprising at least red quantum dots (401), green quantum dots (402), and blue quantum dots (403), and black matrices (50) disposed at least between the red quantum dots (401), the green quantum dots (402), and the blue quantum dots (403); of the first electrode (20) and the second electrode (30), at least the electrode positioned on the light-emitting side is transparent. The present quantum dot light-emitting diode achieves full-colour display and can effectively improve pixel aperture ratio. Also disclosed are a manufacturing method and display device for the quantum dot light-emitting diode.
(FR) La présente invention concerne une diode électroluminescente à points quantiques, comprenant : une première électrode (20) et une seconde électrode (30), une couche électroluminescente à points quantiques (40) agencée entre les deux électrodes, la couche de électroluminescente à points quantiques comprenant au moins des points quantiques rouges (401), des points quantiques verts (402), des points quantiques bleus (403) et des matrices noires (50) disposées au moins entre les points quantiques rouges (401), les points quantiques verts (402) et les points quantiques bleus (403); entre la première électrode (20) et la seconde électrode (30), au moins l'électrode placée du côté électroluminescent est transparente. La présente diode électroluminescente à points quantiques permet d'obtenir un affichage couleur et d'améliorer efficacement le rapport d'ouverture des pixels. L'invention concerne également un procédé de fabrication et un dispositif d'affichage pour la diode électroluminescente à points quantiques.
(ZH) 一种量子点发光二极管包括:第一电极(20)和第二电极(30),设置于两电极之间的量子点发光层(40),所述量子点发光层(40)至少包括红光量子点(401)、绿光量子点(402)和蓝光量子点(403),以及至少设置于所述红光量子点(401)、绿光量子点(402)以及蓝光量子点(403)之间的黑矩阵(50);其中,所述第一电极(20)和所述第二电极(30)中位于出光一侧的电极至少为透明。该量子点发光二极管可实现全彩化显示,并可有效提高像素开口率。还公开了量子点发光二极管的制备方法、显示器件。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Chino (ZH)
Idioma de la solicitud: Chino (ZH)