Parte del contenido de esta aplicación no está disponible en este momento.
Si esta situación persiste, contáctenos aComentarios y contacto
1. (WO2014188018) INTEGRACIÓN MONOLÍTICA DE LENTES PLENÓPTICAS SOBRE SUSTRATOS FOTOSENSORES
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

Nº de publicación: WO/2014/188018 Nº de la solicitud internacional: PCT/ES2013/070855
Fecha de publicación: 27.11.2014 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 07.12.2013
CIP:
H01L 27/146 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
14
con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones
144
Dispositivos controlados por radiación
146
Estructuras de captadores de imágenes
Solicitantes:
BLASCO CLARET, Jorge Vicente [ES/ES]; ES
BLASCO WHYTE, Isabel Lena [ES/ES]; ES
BLASCO WHYTE, Carmen Victoria [ES/ES]; ES
BLASCO WHYTE, William Jorge [ES/ES]; ES
Personas inventoras:
BLASCO CLARET, Jorge Vicente; ES
Datos de prioridad:
P20133072721.05.2013ES
Título (EN) MONOLITHIC INTEGRATION OF PLENOPTIC LENSES ON PHOTOSENSOR SUBSTRATES
(FR) INTÉGRATION MONOLITHIQUE DE LENTILLES PLÉNOPTIQUES SUR DES SUBSTRATS PHOTODÉTECTEURS
(ES) INTEGRACIÓN MONOLÍTICA DE LENTES PLENÓPTICAS SOBRE SUSTRATOS FOTOSENSORES
Resumen:
(EN) The invention relates to the monolithic integration of a plenoptic structure on an image sensor, using a material with a low refractive index on the substrate of photosensors (including or not including colour filters and/or pixel microlenses) and arranging a material with a high refractive index on said material with a low refractive index in order to create the plenoptic microlenses. Plenoptic lenses are created directly on the substrate of photosensors. Photosensors with a high integration density are arranged at minimum distances in order to minimise inter-pixel interferences, having, on the integration density end, "deformed square" geometries on the vertices thereof adjacent to a pixel of the same colour, removing any photosensitive area from said vertices in order to distance them from the noise of adjacent pixels of the same colour (irradiances of circles and Airy disks of neighboring pixels of the same colour). The light efficiency is increased by structures of plenoptic microlenses at variable distances from the substrate (less on the periphery thereof) and/or with more asymmetric profiles on the periphery thereof and/or pixels of different sizes and shapes towards the periphery of the sensor. Micro-objectives are produced by the creation of alternate layers of low and high refractive index.
(FR) La présente invention concerne l'intégration monolithique d'une structure plénoptique dans un détecteur d'image grâce à l'utilisation d'un matériau à faible indice de réfraction sur le substrat de photodétecteurs (avec ou sans filtres de couleurs et/ou microlentilles de pixel) et au placement d'un matériau à indice de réfraction élevé sur ledit matériau à faible indice de réfraction afin de créer les microlentilles plénoptiques. L'invention concerne également la création de lentilles plénoptiques directement sur le substrat de photodétecteurs. L'invention concerne aussi un tracé de photodétecteurs à haute densité d'intégration à des distances minimales dans le but de minimiser des interférences inter-pixel, suivant, à l'extrémité de densité d'intégration, des géométries de "carré déformé" à leurs sommets adjacents à un pixel de la même couleur, évacuant lesdits sommets de zone photosensible afin de les éloigner du bruit de pixels adjacents de la même couleur (éclairements énergétiques de cercles et anneaux de Airy de pixels voisins de la même couleur). On obtient une augmentation de l'efficience lumineuse grâce à des structures de microlentilles plénoptiques à des distances variables du substrat (inférieures à leur périphérie) et/ou des profils plus asymétriques à leur périphérie et/ou des pixels de taille et forme différente en direction de la périphérie du détecteur. En outre, l'invention concerne la fabrication de micro-objectifs grâce à la création de couches alternées à faible indice de réfraction et à indice de réfraction élevé.
(ES) Integración monolítica de una estructura plenóptica en un sensor de imagen merced a utilizar un material de bajo índice de refracción sobre el sustrato de foto-sensores (incluyendo o sin incluir filtros de colores y/o micro-lentes de píxel) y situar un material de alto índice de refracción sobre dicho material de bajo índice de refracción con el fin de crear las micro-lentes plenópticas. Creación de lentes plenópticas directamente sobre el sustrato de foto-sensores. Trazado de foto- sensores con alta densidad de integración a distancias mínimas con el objeto de minimizar interferencias inter-pixel, siguiendo en el extremo de densidad de integración geometrías de "cuadrado deformado" en sus vértices adyacentes a un píxel del mismo color, vaciando dichos vértices de área foto-sensitiva con el fin de alejarlos del ruido de pixeles adyacentes del mismo color (irradiancias de círculos y anillos de Airy de pixeles vecinos del mismo color). Aumento de la eficiencia lumínica merced a estructuras de micro-lentes plenópticas con distancias variables al sustrato (menores en su periferia) y/o con perfiles más asimétricos en su periferia y/o pixeles de diferente tamaño y forma hacia la periferia del sensor. Fabricación de micro- objetivos merced a la creación de capas alternadas de bajo y de alto índice de refracción.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Español (ES)
Idioma de la solicitud: Español (ES)