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1. (WO2014185767) ESTRUCTURA ANTIREFLEJANTE CUASI-OMNIDIRECCIONAL BASADA EN MULTICAPAS DIELÉCTRICAS DE SILICIO POROSO PARA LA REGIÓN ULTRAVIOLETA MEDIA, VISIBLE E INFRARROJA CERCANA DEL ESPECTRO ELECTROMAGNÉTICO

Pub. No.:    WO/2014/185767    International Application No.:    PCT/MX2014/000071
Publication Date: Fri Nov 21 00:59:59 CET 2014 International Filing Date: Sat May 17 01:59:59 CEST 2014
IPC: G02B 1/11
H01L 31/0216
H01L 31/028
H01L 31/0368
H01L 31/0376
H01L 33/44
Applicants: UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DEL ESTADO DE MORELOS
Inventors: AGARWAL, Vivechana
ARIZA FLORES, Augusto David
PEREZ HUERTA, José Samuel
KUMAR, Yogesh
Title: ESTRUCTURA ANTIREFLEJANTE CUASI-OMNIDIRECCIONAL BASADA EN MULTICAPAS DIELÉCTRICAS DE SILICIO POROSO PARA LA REGIÓN ULTRAVIOLETA MEDIA, VISIBLE E INFRARROJA CERCANA DEL ESPECTRO ELECTROMAGNÉTICO
Abstract:
Estructura antireflejante basada en multicapas de silicio poroso apiladas en forma unidimensional. Esta capa tiene la capacidad de reflejar menos del 4% de la luz incidente en cualquier ángulo, es decir esta propiedad no depende de la posición en la cual se le oriente. Ello se cumple para un rango de longitudes de onda que van desde 200 nm a 2000 nm y tan sólo con un espesor físico total de 510 nm. La estructura consta de 51 capas con porosidades graduales que van del 92 al 38 %. La longitud de cada capa es constante e igual a 10 nm y el perfil del índice de refracción varía por medio de una función envolvente que crece monótonamente de la forma f(z)=n0+(nF-n0)(z/L)k, con z la profundidad de la capa. El dispositivo se fabricó con el método de anodizado electroquímico en una solución electrolítica de ácido fluorhídrico y etanol, atacando obleas de silicio de forma galvanostatíca en una interfaz controlada.