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1. (WO2014090938) CONDUCTIVE ATOMIC FORCE MICROSCOPE TIPS COATED WITH GRAPHENE
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   
Nº de publicación: WO/2014/090938 Nº de la solicitud internacional: PCT/EP2013/076362
Fecha de publicación: 19.06.2014 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 12.12.2013
CIP:
G01Q 60/40 (2010.01) ,G01Q 70/14 (2010.01)
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
Q
TECNICAS O APARATOS DE SONDA DE BARRIDO; APLICACIONES DE TECNICAS DE SONDA DE BARRIDO, p. ej. MICROSCOPIA POR SONDA DE BARRIDO [SMP]
60
Tipos particulares de microscopía por sonda de barrido [SPM] o aparatos empleados; Componentes esenciales al efecto
24
AFM [Microscopía de Fuerza Atómica] o aparatos empleados, p. ej. sondas AFM
38
Sondas, su fabricación o su instrumentación relacionada, p. ej. soportes
40
Sondas conductoras
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
Q
TECNICAS O APARATOS DE SONDA DE BARRIDO; APLICACIONES DE TECNICAS DE SONDA DE BARRIDO, p. ej. MICROSCOPIA POR SONDA DE BARRIDO [SMP]
70
Aspectos generales de las sondas SPM, de su fabricación o de su instrumentación relacionada, en tanto en cuanto no están adaptados a una única técnica SPM cubierta por el grupo G01Q60/229
08
Características de las sondas
14
Materiales particulares
Solicitantes:
DUAN, Huiling [CN/CN]; CN (US)
PORTI PUJAL, Marc [ES/ES]; ES (US)
LANZA MARTINEZ, Mario [ES/CN]; CN (US)
BAYERL, Albin [DE/ES]; ES (US)
NAFRÍA MAQUEDA, Montserrat [ES/ES]; ES (US)
UNIVERSITAT AUTONOMA DE BARCELONA [ES/ES]; Edifici A Campus universitari s/n E-08193 Bellaterra (Cerdanyola del Vallès), ES
PEKING UNIVERSITY [CN/CN]; No.5 Yiheyuan Road Haidian District Beijing 100871, CN
Personas inventoras:
DUAN, Huiling; CN
PORTI PUJAL, Marc; ES
LANZA MARTINEZ, Mario; CN
BAYERL, Albin; ES
NAFRÍA MAQUEDA, Montserrat; ES
Datos de prioridad:
12382504.414.12.2012EP
Título (EN) CONDUCTIVE ATOMIC FORCE MICROSCOPE TIPS COATED WITH GRAPHENE
(FR) POINTES DE MICROSCOPE À FORCE ATOMIQUE CONDUCTEUR (CAFM) REVÊTUES DE GRAPHÈNE
Resumen:
(EN) The present invention relates to coating with a graphene single layer film the conductive surface of an atomic force microscope tip. The process of coating the conductive surface with graphene consists in three steps: first, immobilization of the tip on a Silicon block as a base using a thin film of Poly-methyl methacrylate (PMMA) in between. Then, the solid PMMA/AFM tip/PMMA/Silicon block was used as target substrate on which it is transferred the graphene sheet. Finally, it is removed the different PMMA layers using Acetone. Once PMMA is removed, the graphene is completely attached. The resulting tip is perfectly coated with graphene, and therefore much more resistant to both high currents and frictions than commercially available metal-varnished CAFM tips, and also to much larger lifetimes and more reliable imaging due to a lower tip-sample interaction.
(FR) La présente invention concerne l'application en revêtement d'un film de monocouche de graphène à la surface conductrice d'une pointe de microscope à force atomique (AFM). Le processus de revêtement de la surface conductrice avec du graphène consiste en trois étapes : d'abord, immobilisation de la pointe sur un bloc de silicium en tant que base à l'aide d'un film mince de méthacrylate de polyméthyle (PMMA) entre ceux-ci. Ensuite, le PMMA/pointe AFM/PMMA/bloc de silicium a été utilisé en tant que substrat de cible sur lequel est transférée la feuille de graphène. Finalement, les différentes couches de PMMA sont retirées à l'aide d'acétone. Une fois que le PMMA est retiré, le graphène est complètement fixé. La pointe résultante est parfaitement revêtue de graphène et ainsi beaucoup plus résistante à la fois à des courants et des frottements élevés que des pointes AFM conducteur (CAFM) vernies de métal disponibles commercialement, et également des durées de vie beaucoup plus grandes et une imagerie plus fiable en raison d'une interaction pointe-échantillon plus faible.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)