WIPO logo
Móvil | Deutsch | English | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Colecciones nacionales e internacionales de patentes
World Intellectual Property Organization
Búsqueda
 
Navegar
 
Traducción
 
Opciones
 
Noticias
 
Conexión
 
Ayuda
 
Pretraducción automatizada
1. (WO2012041056) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

TranslationTraducir: Original-->español
Nº de publicación:    WO/2012/041056    Nº de la solicitud internacional:    PCT/CN2011/072912
Fecha de publicación: 05.04.2012 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 18.04.2011
CIP:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/8232 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Solicitantes: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (Todos excepto los EE.UU.).
YIN, Haizhou [CN/US]; (US) (Únicamente los EE.UU.).
LUO, Zhijiong [US/US]; (US) (Únicamente los EE.UU.).
ZHU, Huilong [US/US]; (US) (Únicamente los EE.UU.)
Personas inventoras: YIN, Haizhou; (US).
LUO, Zhijiong; (US).
ZHU, Huilong; (US)
Mandataria/o: HANHOW INTELLECTUAL PROPERTY PARTNERS; ZHU, Haibo W1-1111,F/11 Oriental plaza, No.1 East Chang An Avenue Dongcheng District, Beijing 100738 (CN)
Datos de prioridad:
201010296962.8 29.09.2010 CN
Título (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种半导体结构及其制造方法
Resumen: front page image
(EN)A semiconductor structure and a manufacturing method thereof are provided. The method includes the following steps: depositing an interlayer dielectric layer (105) on a semiconductor substrate (101) to cover source/drain region (102) and a gate stack on the semiconductor substrate (101); etching the interlayer dielectric layer (105) and the source/drain region (102) to form a contact hole (110) which reaches the internal of the source/drain region (102); forming a conformal amorphous body layer (111) on the exposed area of the source/drain region (102); forming a metal silicide (113) on the surface ol the amorphous body layer (111); filling the contact hole (110) with contact metal (114). The exposed area includes bottom (108) and sidewall (109) by etching the source/drain region (102), so that the contact area of contact metal (114) and source/drain region (102) in the contact hole (110) is increased and the contact resistance is reduced accordingly. The amorphous body is formed by selective deposition to remove the end defect caused by the amorphous ion implantation effectively.
(FR)L'invention concerne une structure semi-conductrice et un procédé de fabrication de celle-ci. Le procédé comprend les étapes suivantes de : dépôt d'une couche diélectrique intermédiaire (105) sur un substrat semi-conducteur (101) afin de recouvrir la région de source/de drain (102) et un empilement de grille sur le substrat semi-conducteur (101) ; gravure de la couche diélectrique intermédiaire (105) et de la région de source/de drain (102) afin de former un trou de contact (110) qui atteint l'intérieur de la région de source/de drain (102) ; formation d'une couche de corps amorphe conforme (111) sur la zone exposée de la région de source/de drain (102) ; formation d'un siliciure de métal (113) à la surface de la couche de corps amorphe (111) ; remplissage du trou de contact (110) par du métal de contact (114). La zone exposée comprend un fond (108) et une paroi latérale (109) dégagés dans la gravure de la région de source/de drain (102), si bien que l'aire de contact entre le métal de contact (114) et la région de source/de drain (102) dans le trou de contact (110) est augmentée et que la résistance de contact est réduite en conséquence. Le corps amorphe est formé par un dépôt sélectif destiné à éliminer efficacement le défaut final provoqué par l'implantation d'ions amorphes.
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Idioma de publicación: chino (ZH)
Idioma de la solicitud: chino (ZH)