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1. (WO2011118238) IRREGULAR-SURFACE FORMING METHOD USING PLASMA-ETCHING PROCESS, AND ELECTRODE MEMBER
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

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Nº de publicación:    WO/2011/118238    Nº de la solicitud internacional:    PCT/JP2011/050020
Fecha de publicación: 29.09.2011 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 05.01.2011
CIP:
H01L 21/3065 (2006.01)
Solicitantes: LINTEC Corporation [JP/JP]; 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001 (JP) (Todos excepto los EE.UU.).
NAGANAWA Satoshi [JP/JP]; (JP) (Únicamente los EE.UU.).
KONDO Takeshi [JP/JP]; (JP) (Únicamente los EE.UU.)
Personas inventoras: NAGANAWA Satoshi; (JP).
KONDO Takeshi; (JP)
Mandataria/o: EMORI Kenji; Excel Shinjuku-Gyoen Building 5F., 11-3, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Datos de prioridad:
2010-066514 23.03.2010 JP
Título (EN) IRREGULAR-SURFACE FORMING METHOD USING PLASMA-ETCHING PROCESS, AND ELECTRODE MEMBER
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE SURFACE IRRÉGULIÈRE UTILISANT UN PROCESSUS DE GRAVURE PAR PLASMA ET ÉLÉMENT D'ÉLECTRODE
(JA) プラズマエッチング処理を用いた表面凹凸形成方法および電極部材
Resumen: front page image
(EN)Disclosed are an irregular-surface forming method that uses a plasma-etching process by which a substrate having a predetermined irregular surface is stably and precisely attained; and an electrode member attained by such a forming method. When implementing the plasma-etching process, the irregular-surface forming method includes a fine, irregular surface, and forms a predetermined irregular-surface pattern on a substrate, using a partially oxidized metallic salt film as a resistor. The method includes a first process that coats a liquid material containing metallic salt to form a metallic salt film on a substrate; a second process that forms a fine, irregular surface on the metallic-salt film, and partially oxidizes for resistivity; and a third process that forms on the substrate, along with resist, a predetermined irregular surface using a plasma-etching process on the substrate.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de formation de surface irrégulière qui utilise un processus de gravure par plasma au moyen duquel un substrat qui est doté d'une surface irrégulière prédéterminée est obtenu de façon stable et précise ; et à un élément d'électrode obtenu au moyen dudit procédé de formation. Lors de la mise en œuvre du processus de gravure par plasma, le procédé de formation de surface irrégulière inclut une surface irrégulière et fine et forme un motif de surface irrégulière prédéterminée sur un substrat, en utilisant un film de sel métallique partiellement oxydé en tant que résistance. Le procédé inclut un premier processus qui permet d'enduire d'un matériau liquide contenant un sel métallique en vue de former un film de sel métallique sur un substrat ; un deuxième processus qui permet de former une surface irrégulière et fine sur le film de sel métallique, et de procéder à une oxydation partielle en vue d'obtenir la résistivité souhaitée ; et un troisième processus qui permet de former sur le substrat, en même temps que le résist, une surface irrégulière prédéterminée en utilisant un processus de gravure par plasma sur le substrat.
(JA) 所定の表面凹凸を有する基材が、安定的かつ精度良く得られるプラズマエッチング処理を用いた表面凹凸形成方法、およびそのような形成方法によって得られる電極部材を提供する。 プラズマエッチング処理を行う際に、微細な表面凹凸を有するとともに、部分酸化した金属塩膜をレジストとして用い、基材上に、所定の表面凹凸パターンを形成する表面凹凸形成方法等であって、基材に対して、金属塩含有液状物を塗布して、金属塩膜を形成する第1工程と、金属塩膜に、微細な表面凹凸を形成するとともに、部分酸化して、レジストとする第2工程と、レジストとともに、基材をプラズマエッチング処理して、基材上に、所定の表面凹凸を形成する第3工程と、を含む。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)