WIPO logo
Móvil | Deutsch | English | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Colecciones nacionales e internacionales de patentes
World Intellectual Property Organization
Opciones
Idioma de consulta
Lexema
Ordenar por:
Extensión de la lista
1. (WO2006093037) SEMICONDUCTOR PRODUCTION SYSTEM AND SEMICONDUCTOR PRODUCTION METHOD
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

Nº de publicación: WO/2006/093037 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2006/303381
Fecha de publicación: 08.09.2006 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 24.02.2006
CIP:
H01L 21/31 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
31
para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas; Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas
Solicitantes: TANIYAMA, Tomoshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
TAKASHIMA, Yoshikazu[JP/JP]; JP (UsOnly)
OHNO, Mikio[JP/JP]; JP (UsOnly)
HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.[JP/JP]; 14-20, Higashi-Nakano 3-chome Nakano-ku Tokyo 1648511, JP (AllExceptUS)
Personas inventoras: TANIYAMA, Tomoshi; JP
TAKASHIMA, Yoshikazu; JP
OHNO, Mikio; JP
Mandataria/o: YUI, Tohru; 21 TOWA Bldg. 3F 4-6-1, Iidabashi Chiyoda-ku, Tokyo 1020072, JP
Datos de prioridad:
2005-05798002.03.2005JP
Título (EN) SEMICONDUCTOR PRODUCTION SYSTEM AND SEMICONDUCTOR PRODUCTION METHOD
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
Resumen:
(EN) A semiconductor production system in which local deposition of components in the gas which has been used for processing a substrate is suppressed by eliminating stagnation of the gas in an exhaust trap. The semiconductor production system comprises a substrate processing chamber (tubular space (250)), a pipe (232) for supplying a substrate processing gas to the substrate processing chamber, a first exhaust pipe (upstream-side exhaust pipe (231a)) for discharging the gas which has been used for processing the substrate from the substrate processing chamber, an exhaust trap (49) for removing components contained in the used gas introduced through the first exhaust pipe, and a second exhaust pipe (downstream-side exhaust pipe (231b)) for discharging the used gas from which the components are removed from the exhaust trap (49). The exhaust trap (49) is provided with a cooled baffle (59) generally perpendicular to the direction in which the gas is introduced into the exhaust trap (49) and having a recess surface (59a) on the gas inlet (55a) side of the exhaust trap (49).
(FR) La présente invention décrit un système de production de semi-conducteurs dans lequel la disposition locale des composantes dans le gaz qui a été utilisé pour traiter un substrat est supprimée en éliminant la stagnation du gaz dans un séparateur d'échappement. Le système de production de semi-conducteurs comprend une chambre de traitement de substrat [espace tubulaire (250)], un tuyau (232) destiné à fournir le gaz de traitement du substrat à la chambre de traitement du substrat, une première conduite d'échappement (conduite d'échappement en amont (231a)) pour décharger le gaz qui a été utilisé pour le traitement du substrat à partir de la chambre de traitement du substrat, un séparateur d'échappement (49) pour retirer les composantes contenus dans le gaz usagé introduit par la première conduite d'échappement, ainsi qu'une seconde conduite d'échappement (conduite d'échappement en aval (231b)) pour décharger le gaz usagé à partir duquel les composantes sont retirés du séparateur d'échappement (49). Le séparateur d'échappement (49) est muni d'une chicane refroidie (59) généralement perpendiculaire à la direction dans laquelle le gaz est introduit dans le séparateur d'échappement (49) et disposant d'une surface encastrée (59a) sur l'entrée de gaz (55a) du séparateur d'échappement (49).
(JA)  排気トラップ内での基板処理済みガスのよどみをなくし基板処理済みガス中の成分の局部的な析出を抑制する。  基板処理室(筒状空間250)と、前記基板処理室に基板処理ガスを供給するガス供給管232と、前記基板処理室から基板処理済みガスを排出する第1の排気管(上流側排気管231a)と、前記第1の排気管から導入される基板処理済みガスに含まれる成分を除去する排気トラップ49と、前記排気トラップ49から基板処理済みガス中の成分を除去したガスを排気する第2の排気管(下流側排気管231b)とを備え、前記排気トラップ49には、排気トラップ49へのガス導入方向と略垂直であり、排気トラップ49のガス導入口55a側に凹面59aを有する、冷却された邪魔板59を設ける。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)