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1. (WO2006090445) SEMICONDUCTOR CIRCUIT DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR CIRCUIT DEVICE
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請求の範囲

[1] 支持基板上に形成されたシリコンの立体孤立領域と前記シリコンの立体孤立領域 の表面に形成されたゲート電極とを有する MOSトランジスタ素子と、

前記支持基板中の溝に坦め込まれた坦込配線と、

前記支持基板上の基板上配線とを備え、

前記坦込配線と前記基板上配線とを用いて前記 MOSトランジスタ素子間の接続が行 われることを特徴とする半導体回路装置。

[2] 前記シリコンの立体孤立領域と前記坦込配線が自己整合的に形成されていること を特徴とする請求項 1に記載した半導体回路装置。

[3] 前記坦込配線は前記 MOSトランジスタ素子のゲート電極を接続してレ、ることを特徴 とする請求項 1に記載した半導体回路装置。

[4] 前記坦込配線は、アルミニウムを含む材料からなることを特徴とする請求項 1に記 載した半導体回路装置。

[5] 前記坦込配線は、タングステンを含む材料からなることを特徴とする請求項 1に記 載した半導体回路装置。

[6] 前記坦込配線を第 1の方向に配置し、

前記基板上配線により接続する前記回路素子の接続箇所を、第 2の方向へ、直線的 に配置したことを特徴とした請求項 1に記載した半導体回路装置。

[7] 前記第 1の方向と前記第 2の方向が直交することを特徴とする請求項 6に記載した 半導体回路装置。

[8] 前記 MOSトランジスタ素子の前記立体孤立領域を形成する立体孤立領域形成ェ 程と

前記立体孤立領域と自己整合的に埋込配線用溝を支持基板中に形成する溝形成 工程と、

前記坦込配線用溝にシリコンとエッチング選択性がある坦込材料を坦め込む埋込ェ 程と、

前記 MOSトランジスタ素子のゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、 前記坦込配線を形成する坦込配線形成工程と、

前記基板上配線を形成する基板上配線形成工程とを備える請求項 1に記載した半 導体回路装置の製造方法。

[9] 前記坦込材料はシリコンとゲルマニウムとを含む材料力なることを特徴とする請求 項 8に記載した半導体回路装置の製造方法。

[10] 前記坦込配線形成工程は、

前記坦込材料を除去する工程と、

前記坦込配線用溝に金属材料を坦め込む工程を備えることを特徴とする請求項 8に 記載した半導体回路装置の製造方法。

[11] 前記金属材料はタングステン (W)であることを特徴とした請求項 10記載の半導体回 路装置の製造方法。

[12] 前記坦込配線形成工程は、

前記坦込配線用溝内の前記埋込材料上に絶縁層を形成する工程と、

前記絶縁層中に前記埋込材料に対してコンタクト Viaを開口する工程と、

前記絶縁層上に金属材料を堆積する工程と、

前記坦込配線用溝中の前記埋込材料と前記金属材料を接触させ、熱処理を加えて 前記金属材料と前記坦込材料を置換させる工程とを備えること特徴とする請求項 8に 記載した半導体回路装置の製造方法。

[13] 前記金属材料はアルミニウムを含むことを特徴とする請求項 12の半導体回路装置 の製造方法。