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1. (WO2003001531) PROPORTIONAL TO TEMPERATURE VOLTAGE GENERATOR
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

Nº de publicación: WO/2003/001531 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2002/019546
Fecha de publicación: 03.01.2003 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 20.06.2002
Se presentó la solicitud en virtud del Capítulo II: 22.01.2003
CIP:
G11C 5/14 (2006.01) ,G11C 7/14 (2006.01)
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
5
Detalles de memorias cubiertos por el grupo G11C11/96
14
Disposiciones para la alimentación
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
7
Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital
14
Gestión de celdas ficticias; Generadores de tensión de referencia para lectura
Solicitantes:
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP. [US/US]; 3901 N. First Street San Jose, CA 95134, US
Personas inventoras:
FISCUS, Timothy, E.; US
Mandataria/o:
CHRISTOPHER, Maiorana, P. ; Christopher P. Maiorana, P.C. 24025 Greater Mack Suite 200 St. Clair Shores, MI 48080, US
Datos de prioridad:
09/885,89720.06.2001US
Título (EN) PROPORTIONAL TO TEMPERATURE VOLTAGE GENERATOR
(FR) GENERATEUR DE TENSION PROPORTIONNELLE A LA TEMPERATURE
Resumen:
(EN) A biasing circuit (100) comprising a first circuit (102) and a second circuit (104). The first circuit may be configured to generate a first bias signal (VBIAS) and a second bias signal (VREF). The second bias signal may be defined by a threshold voltage (118) and a first resistance (R). The second circuit may be configured to generate a third bias signal (PCTR) in response to the first and the second bias signals and a second resistance (R1). The third bias signal may have a magnitude that is linearly proportional to absolute temperature (PTAT) and be configured to vary a refresh rate of a memory cell in response to changes in temperature.
(FR) La présente invention concerne un circuit de polarisation (100) comprenant un premier circuit (102) et un second circuit (104). Le premier circuit peut être conçu pour produire un premier signal de polarisation (VBIAS) et un deuxième signal de polarisation (VREF). Le second circuit peut être défini par une tension seuil (118) et une première résistance (R) et peut être conçu pour produire un troisième signal de polarisation (PCTR) en réponse aux premiers et deuxièmes signaux de polarisation et à une seconde résistance (R1). Le troisième signal de polarisation peut présenter une amplitude qui est linéairement proportionnelle à la température absolue (PTAT) et peut être conçu pour modifier une fréquence de rafraîchissement d'une cellule mémoire en réponse à des variations de température.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)