Parte del contenido de esta aplicación no está disponible en este momento.
Si esta situación persiste, contáctenos aComentarios y contacto
1. (WO2002103767) EPITAXIAL SIO¿X? BARRIER/INSULATION LAYER______________________
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

Nº de publicación: WO/2002/103767 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2001/040970
Fecha de publicación: 27.12.2002 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 14.06.2001
Se presentó la solicitud en virtud del Capítulo II: 08.01.2003
CIP:
H01L 21/762 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
70
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos
71
Fabricación de partes constitutivas específicas de dispositivos definidos en el grupoH01L21/70137
76
Realización de regiones aislantes entre los componentes
762
Regiones dieléctricas
Solicitantes:
WANG, Chia-Gee [US/US]; US (UsOnly)
TSU, Raphael [US/US]; US (UsOnly)
LOFGREN, John, Clay [US/US]; US (UsOnly)
NANODYNAMICS, INC. [US/US]; 510 E. 73rd Street New York, NY 10021, US (AllExceptUS)
Personas inventoras:
WANG, Chia-Gee; US
TSU, Raphael; US
LOFGREN, John, Clay; US
Mandataria/o:
HANDELMAN, Joseph, H. ; Ladas & Parry 26 West 61st Street New York, NY 10023, US
Datos de prioridad:
Título (EN) EPITAXIAL SIOX BARRIER/INSULATION LAYER______________________
(FR) COUCHE BARRIERE OU ISOLANTE EPITAXIALE EN SIOX
Resumen:
(EN) A method for producing an insulating or barrier layer (Fig. 1B), useful for semiconductor devices, comprises depositing a layer of silicon and at least one additional element on a silicon substrate whereby said deposited layer is substantially free of defects such that epitaxial silicon substantially free of defects can be deposited on said deposited layer. Alternatively, a monolayer of one or more elements, preferably comprising oxygen, is absorbed on a silicon substrate. A plurality of insulating layers sandwiched between epitaxial silicon forms a barrier composite. Semiconductor devices are disclosed which comprise said barrier composite.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'une couche barrière ou isolante (fig. 1B), utile pour des dispositifs à semi-conducteurs. Le procédé consiste à déposer une couche de silicium et au moins un élément supplémentaire sur un substrat de silicium, ladite couche déposée étant sensiblement exempte de défauts afin qu'un silicium épitaxial sensiblement exempt de défauts puisse être déposé sur la couche déposée. Dans une autre forme de réalisation, une monocouche d'un ou de plusieurs éléments, de préférence comprenant oxygène, est absorbée sur un substrat de silicium. Plusieurs couches isolantes prises en sandwich entre un silicium épitaxial forment un composite barrière. L'invention concerne en outre des dispositifs à semi-conducteurs comprenant ce composite barrière.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)