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1. (WO1998028745) NONVOLATILE WRITEABLE MEMORY WITH FAST PROGRAMMING CAPABILITY
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional

Nº de publicación: WO/1998/028745 Nº de la solicitud internacional: PCT/US1997/019209
Fecha de publicación: 02.07.1998 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 23.10.1997
Se presentó la solicitud en virtud del Capítulo II: 04.06.1998
CIP:
G11C 16/10 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01)
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
10
Circuitos de programación o de entrada de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
34
Determinación del estado de programación, p.ej. tensión umbral, sobreprogramación o subprogramación, retención
Solicitantes:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US
Personas inventoras:
HURTER, Andrew, J.; US
DOLLER, Edward, M.; US
Mandataria/o:
TAYLOR, Edwin, H. ; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025, US
Datos de prioridad:
08/770,39720.12.1996US
Título (EN) NONVOLATILE WRITEABLE MEMORY WITH FAST PROGRAMMING CAPABILITY
(FR) MEMOIRE INSCRIPTIBLE REMANENTE A CAPACITE DE PROGRAMMATION RAPIDE
Resumen:
(EN) A method and apparatus provides capability for fast programming of a nonvolatile writeable memory. One or more memory cells of a block of memory cells of the nonvolatile writeable memory is programmed using no more than one program pulse. The memory cells of the block of memory cells having a threshold voltage in an intermediate region (62) below a programmed reference level (54) and above an erase reference level (50) are identified. These identified memory cells are programmed with one or more program pulses to raise the threshold voltage of the corresponding memory cell up to the programmed reference level (52).
(FR) Un procédé et un appareil présentent une capacité de programmation rapide d'une mémoire inscriptible rémanente. Une ou plusieurs cellules de mémoire d'un bloc de cellules de mémoire de la mémoireinscriptible rémanente est/sont programmé(es) par une seule impulsion de programme. Les cellules de mémoire du bloc de cellules de mémoire présentant une tension de seuil dans une région intermédiaire (62) inférieure à un niveau de référence programmé (54) et supérieur à un niveau de référence d'effacement (50) sont identifiées. Ces cellules de mémoire identifiées sont programmées avec une ou plusieurs impulsions de programme afin d'élever la tension de seuil de la cellule correspondante jusqu'au niveau de référence programmé (52).
Estados designados: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (GH, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)